一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜制造技术

本发明专利技术公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，其中包括：镜面，为一矩形的平板镜面；上电极，为一矩形的平板上电极；梁，是含有四根矩形的柱体梁；两个锚点，分别固接于每根梁的两个端部，且两个锚点分别位于每根梁相互垂直的平面上；硅基底，在其内部是一凹形体，在凹形体的底部有一通孔；绝缘层，固接于硅基底的凹形体的表面上形成一行程腔；在行程腔的凹底部设置有下电极，下电极的导线贯穿于硅基底的通孔中；梁平行放置于上电极板和绝缘层的上部之间，上电极板通过梁和锚点固定在行程腔的上面，上电极板与镜面平行，支撑柱位于上电极板和镜面之间，上电极板通过支撑柱支撑变形镜的镜面。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微光机电系统
，特别涉及一种适用于自适应光学系统的静电吸引型MEMS变形镜。
技术介绍
在变形镜领域，静电驱动的MEMS变形镜具有响应速度快、能耗低、体积小、单元密度高以及与集成电路兼容性好的优点，而成为一种最具有发展潜力的微变形镜。然而，现有的静电驱动MEMS变形镜，因受到静电吸引(pull-1n)现象的限制，其有效行程只有上、下电极初始间隙的三分之一。且由于表面硅工艺的限制，一般采用二氧化硅做牺牲层，厚度较小(< 3μπι)，造成变形镜的有效行程小，实用化性能差。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是针对现有大厚度牺牲层难加工的不足，本专利技术提供一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，它可以有效的克服现有加工工艺的限制，增大上、下电极之间的初始间距，使变形镜获得大的有效行程，提高MEMS变形镜的实用化性能。本专利技术大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，解决技术问题所采用的技术方案是该变形镜由支撑柱、镜面、上电极、梁、锚点、绝缘层、硅基底、通孔、下电极和行程腔组成，其中镜面，为一矩形的平板镜面；上电极，为一矩形的平板上电极；梁，是含有四根矩形的柱体梁本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜，其特征在于：该变形镜由支撑柱(1)、镜面(2)、上电极(3)、梁(4)、锚点(5)、绝缘层(6)、硅基底(7)、通孔(8)、下电极(9)和行程腔(10)组成，其中：镜面(2)，为一矩形的平板镜面；上电极(3)，为一矩形的平板上电极；梁(4)，是含有四根矩形的柱体梁；两个锚点(5)，分别固接于每根梁(4)的两个端部，且两个锚点(5)分别位于每根梁相互垂直的平面上；硅基底(7)，在其内部是一凹形体，在凹形体的底部有一通孔(8)；绝缘层(6)，固接于硅基底(7)的凹形体的表面上形成一行程腔(10)；在行程腔(10)的凹底部设置有下电极(9)，下电极(9)的导线...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：邱传凯，庄须叶，王强，汪为民，张铁军，熊伟，罗吉，张建飞，姚军，
申请(专利权)人：中国科学院光电技术研究所，
类型：发明
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