【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于声表面波器件的光刻技术。
技术介绍
湿法腐蚀是最早用于微机械结构制造的加工方法，其是将晶片置于液态的化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液将把它所接触的材料通过化学反应逐步腐蚀溶掉。现有声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法如图I所示，依次进行涂光刻胶、曝光、显影、湿法刻蚀以及去胶的操作。目前对于铝膜厚且占空比大的设计要求来看，由于铝膜的湿法腐蚀存在测向腐蚀问题，故当铝膜湿法腐蚀过程中湿法刻蚀的溶液温度较高时，所涂的光刻胶就容易熔化，会出现过腐蚀现象而损坏光刻胶下面的其他材料。
技术实现思路
本专利技术提供了一种湿法腐蚀的方法，以解决当铝膜湿法腐蚀过程中湿法刻蚀的溶液温度较高时，所涂的光刻胶就容易熔化，会出现过腐蚀现象而损坏光刻胶下面的其他材料的问题，为此本专利技术采用如下的技术方案，当铝膜厚度(U m)与声表面波器件的声波长(m/s)之比大于10%时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。本专利技术实施方式提供的技术方案中增加烘烤工序可以使得在湿法刻蚀的溶液温度较高时光刻胶不易熔化，使其既满足了铝膜厚且占空比大的设计要求，又增强了光刻胶的性能，从而保证了铝膜的线条宽度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本专利技术所述的现有声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法流程中晶片的效果示意图；图2是本专利...
【技术保护点】
一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，当铝膜厚度（μm）与声表面波器件的声波长（m/s）之比大于10％时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。
【技术特征摘要】
1.一种声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，当铝膜厚度(U m)与声表面波器件的声波长(m/s)之比大于10%时，将经过涂光刻胶和曝光处理后的晶片进行预烘烤和提高温度的第二次烘烤。2.根据权利要求I所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述预烘烤的温度在100摄氏度至130摄氏度之间，烘焙时间在25分钟到35分钟之间。3.根据权利要求I所述的声表面波器件中的铝膜湿法腐蚀方法，其特征在于，所述提高温度的第二次烘烤的温度在...
【专利技术属性】
技术研发人员：董启明，
申请(专利权)人：北京中讯四方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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