超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜的制造方法技术

本发明专利技术涉及超导薄膜用基材、超导薄膜以及超导薄膜的制造方法，所述超导薄膜用基材的抑制金属元素从基材扩散的效果高且能够提高强制取向层的取向性。超导薄膜用基材(2)具备：含有金属元素的基材(10)；基础层(22)，其形成于该基材(10)的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Mg和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；具有双轴取向性的强制取向层(24)，其形成于该基础层(22)的表面上，并且以含有Mg的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
正在利用下述方法来制造超导线将中间层形成于基材之上，进一步在中间层的上面形成由在液氮温度(77K)以上显示超导现象的氧化物超导体构成的超导层，由此得到超导线。这种超导线的超导特性很大程度地依赖于氧化物超导体的结晶方位、特别是双轴取向性。另外，为了得到具有高双轴取向性的超导层，需要提高作为基底的中间层的表面的晶体取向性。因此，专利文献1(日本特开2011-9106号公报)中公开了下述内容为了提高中间层表面的晶体取向性，首先在金属基材上形成被称为基础层的下层，接着通过例如离子束辅助沉积法(IBAD法Ion Beam Assisted Deposition)对MgO等材料进行成膜,从而形成具有高c轴取向性和a轴面内取向性(这两个取向性统称为双轴取向性)的强制取向层。另外，得到了该强制取向层后，为了进一步提高中间层表面的双轴取向性，在强制取向层上形成由CeO2或PrO2等构成的覆盖层。并且，通过在该覆盖层上形成超导层，能够得到具有良好的超导特性的超导线。 此时，对于基础层所要求的是具有能够抑制金属元素从金属基材扩散的功能、以及提高利用IBAD法而形成的强制取向层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.25 JP 2011-1623311.一种超导薄膜用基材，其具备 含有金属兀素的基材； 基础层，其形成于所述基材的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Mg和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；和 具有双轴取向性的强制取向层，其形成于所述基础层的表面上，并且以含有Mg的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。2.一种超导薄膜用基材，其具备 含有金属兀素的基材； 基础层，其形成于所述基材的表面上，并且以具有尖晶石型晶体结构的由至少一种过渡金属元素、Ba和氧构成的非取向的尖晶石化合物作为主体；和 具有双轴取向性的强制取向层，其形成于所述基础层的表面上，并且以含有Ba的岩盐型晶体结构的岩盐型化合物作为主体。3.如权利要求1所述的超导薄膜用基材，其中，所述尖晶石化合物为MgAl204、MgCr204、MgY2O4^MgLa2O4 以及 MgGd2O4 的至少一种。4.如权利要求1 权利要求3任一项所述的超导薄膜用基材，其中，所述基础...

【专利技术属性】
技术研发人员：早濑裕子，福岛弘之，奥野良和，小岛映二，坂本久树，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：
国别省市：