氧化物超导导体及其制造方法技术

本发明专利技术的氧化物超导导体具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层，该氧化物超导层由以RE1Ba2Cu3Oy（式中，RE表示稀土类元素，并满足6.5＜y＜7.1）的组成式表示的氧化物超导体构成。在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相，上述常导相含有Ba，上述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属。上述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的1种和Ba的氧化物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。本申请基于2010年4月26日在日本申请的特愿2010-101362号要求优先权，并在此引用其内容。
技术介绍
RE 123 系氧化物超导体由 RE1Ba2Cu3Oy (RE :Y、Gd 等稀土类元素，6. 5 < y < 7. I)的组成表示，具有比液氮温度(77K)更高的临界温度，被期待应用于超导器件、变压器、限流器、马达、或磁铁等超导设备。 通常，使用RE123系氧化物超导体以具有良好的结晶取向性的方式成膜的超导体在无磁场下显示高临界电流特性。然而，如果对超导状态的超导体外加磁场、通电流，则侵入超导体的量子化磁通产生洛伦兹力。此时，如果通过洛伦兹力使量子化磁通移动，则在电流方向产生电压、产生电阻。由于电流值越增加或磁场越强，该洛伦兹力越大，所以电阻也增大，临界电流特性降低。作为该解决对策，已知通常有通过在超导层内混入杂质或缺陷等纳米级的异相，钉扎(Pinning)磁通,从而能够改善超导体在磁场中的临界电流特性。作为这样的方法，例如，提出了通过控制超导材料的RE与Ba的置换量、超导层成膜时的基板温度、以及氧分压，从而控制超导层中生成的层叠缺陷的量，由本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.26 JP 2010-1013621.一种氧化物超导导体，其特征在于， 具备基材和形成在所述基材上的氧化物超导层，所述氧化物超导层由以RE1Ba2Cu3Oy的组成式表示的氧化物超导体构成，所述式中，RE表示稀土类元素,并满足6. 5 < y < 7. I, 在所述氧化物超导层中分散有常导相和异相，所述常导相含有Ba，所述异相含有离子半径比Ba的离子半径小的碱土类金属， 所述常导相为含有选自Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的I种和Ba的氧化物。2.根据权利要求I所述的氧化物超导导体，其特征在于，所述碱土类金属为Sr或Ca。3.根据权利要求I或2所述的氧化物超导导体，其特征在于，所述常导相为含有Ba和Zr的氧化物，所述碱土类金属为Sr。4.根据权利要求I 3中任一项所述的氧化物超导导体，其特征在于，相对于所述RE1Ba2Cu3Oy,选自所述Zr、Sn、Hf、Ce及Ti中的I种以0. 01质量％ I质量％的范围包含在所述氧化物超导层中，所述RE1Ba2Cu3Oy中，RE表示稀土类元素,并满足6. 5 < y < 7. I。5.根据权利要求I 4中任一项所述的氧化物超导导体，其特征在于，相对于所述RE1Ba2Cu3Oy,所述碱土类金属以0. 01质量％ 0. 25质量％的范围包含在所述氧化物超导层中，所述RE1Ba2Cu3Oy中，RE表示稀土类元素，并满足6. 5 &l...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚光则，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：
国别省市：