高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置及方法制造方法及图纸

技术编号:10965514 阅读:277 留言:0更新日期:2015-01-28 17:46
本发明专利技术公开了一种高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置及方法,测试装置包括测试座、固定组件、校准组件和密封盖,其工作谐振模式为TE012。测试座包括屏蔽壳体、输入耦合结构、输出耦合结构、支撑环、介质柱和金属圆环。测试座加载被测超导薄膜构成谐振器,固定组件用于被测超导薄膜的固定,密封盖用于谐振器内外的隔绝。本发明专利技术的有益效果是:(1)解决了在超导薄膜微波表面电阻分布测试中测试装置的分辨率、灵敏度与通用性之间的矛盾;(2)能有效地防止被测超导薄膜被压坏;(3)能够有效地避免发生直接耦合,具有较高的测试精度。

【技术实现步骤摘要】
高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置及方法
本专利技术属于超导电子学
,具体涉及一种高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置及方法的设计。
技术介绍
高温超导薄膜在液氮温区的微波表面电阻比常规良导体低2-3个数量级,这种低损耗特性使得以高温超导薄膜为基础的高温超导微波无源器件,在微波波段具有常规器件无法比拟的优良特性。根据高温超导薄膜本身的结构特点,其微波表面电阻并不均匀,随着超导器件电路越来越复杂,超导薄膜材料的一致性问题日益突显,因此针对高温超导薄膜微波表面电阻分布的测量十分重要。目前国内尚无专门针对超导薄膜微波表面电阻分布测试的方法和装置,国外用于超导薄膜微波表面电阻分布测试最具代表性的两种测试方法的测试装置如图5和图6所示。图5所示的是对双端短路介质谐振器法进行改进后的测试装置,其中介质柱A15与两片超导薄膜16和17以及铜环18构成基本谐振单元,并通过输入耦合电缆A19和输出耦合电缆A20进行微波能量的激励。由所测得的谐振器的谐振频率与无载品质因数Q,可计算出高温超导薄膜的微波表面电阻RS的值。这里得到的微波表面电阻值RS为两片超导薄膜16和17的平均值,因此需要事先测出本文档来自技高网...
高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置及方法

【技术保护点】
一种高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:包括测试座(1)、固定组件、校准组件以及密封盖(5);所述测试座(1)包括屏蔽壳体(6)、输入耦合结构(8)、输出耦合结构(9)、支撑环(10)、介质柱(11)和金属圆环(12);所述介质柱(11)固定在支撑环(10)上后再固定在屏蔽壳体(6)上内;所述金属圆环(12)固定在屏蔽壳体(6)内壁上;所述输入耦合结构(8)和输出耦合结构(9)设置在屏蔽壳体(6)侧壁上的相对两侧;屏蔽壳体(6)、介质柱(11)和金属圆环(12)三者的端面处于同一平面上,共同构成测试座(1)的测试平面;被测超导薄膜(2)或校准组件置于测试座(1)的测试平面上;所述...

【技术特征摘要】
1.一种高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:包括测试座(1)、固定组件、校准组件以及密封盖(5);所述测试座(1)包括屏蔽壳体(6)、输入耦合结构(8)、输出耦合结构(9)、支撑环(10)、介质柱(11)和金属圆环(12);所述介质柱(11)固定在支撑环(10)上后再固定在屏蔽壳体(6)上内;所述金属圆环(12)固定在屏蔽壳体(6)内壁上;所述输入耦合结构(8)和输出耦合结构(9)设置在屏蔽壳体(6)侧壁上的相对两侧;屏蔽壳体(6)、介质柱(11)和金属圆环(12)三者的端面处于同一平面上,共同构成测试座(1)的测试平面;被测超导薄膜(2)或校准组件置于测试座(1)的测试平面上;所述被测超导薄膜(2)通过固定组件加以固定;所述密封盖(5)罩住被测超导薄膜(2)及固定组件,或罩住校准组件;密封盖(5)与测试座(1)的端面密封固定并可拆卸。2.根据权利要求1所述的高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:所述屏蔽壳体(6)、支撑环(10)、介质柱(11)以及金属圆环(12)四者同心。3.根据权利要求1所述的高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:所述固定组件包括压块(3)和弹簧片(4);所述压块(3)压在被测超导薄膜(2)上,其上再用弹簧片(4)加以固定;所述弹簧片(4)两端与屏蔽壳体(6)外延构成可拆卸固定结构。4.根据权利要求3所述的高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:所述压块(3)直径不大于5mm,弹簧片(4)的宽度不大于5mm;压块(3)的尺寸小于被测超导薄膜(2)的尺寸,弹簧片(4)的长度大于被测超导薄膜(2)的直径或最大长度。5.根据权利要求1所述的高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:所述金属圆环(12)的厚度范围为0.1mm-0.5mm。6.根据权利要求4所述的高温超导薄膜微波表面电阻分布测试装置,其特征在于:所述压块(3)采用塑料材料,弹簧片(4)采用金属材料,...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾成补世荣宁俊松陈柳张其劭
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:四川;51

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