表面波等离子体CVD设备以及成膜方法技术

一种表面波等离子体CVD设备，其包括：波导(3)，该波导(3)连接于微波源(2)，多个槽缝天线(S)形成于波导的磁场平面上；电介质板(4)，该电介质板(4)用于将从多个槽缝天线(S)射出的微波引导至等离子体处理室(1)，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件(1b)，该绝缘遮蔽构件(1b)配置成包围产生表面波等离子体的成膜处理区域(R)；以及气体喷射部(52)，该气体喷射部(52)将处理材料气体喷射至成膜处理区域(R)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及表面波等离子体CVD设备和使用该设备的成膜方法。
技术介绍
从现有技术(参照专利文献#1和专利文献#2)实质已知利用表面波等离子体的 CVD设备。在这样的表面波等离子体CVD设备中，微波通过设置至真空室的电介质窗导入， 并且微波沿着等离子体和电介质窗之间的界面传播为表面波。结果，在电介质窗附近产生高密度等离子体。上面要形成膜(即，将是成膜对象)的基板以固定的配置布置在与电介质窗相对的位置处。引用列表专利文献专利文献#1 日本特开2005-142448号公报；专利文献#2 日本特开2007-317499号公报。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，等离子体的密度分布不一定是空间均勻的例如，密度可以在室的壁面旁边的外周区域中降低。由此，必要的是，将电介质板的面积设定成比将是成膜对象的基板的面积大，并且难以将设备控制成在例如液晶玻璃基板的大于大约2. 5m2等的面积上产生均勻的高密度等离子体，并且这还可以构成成本增加的原因。此外，在诸如室壁之类的导体存在于电介质板的边缘处时，表面波等离子体中的电子被该导体吸收，结果，等离子体的密度在导体的表面附近降低。此外，存在如下问题由于电子被导体吸收，因此等离子体的平均密度还在整个等离子体区域上降低。用于解决问题的方案(1)根据本专利技术的第一方面，一种表面波等离子体CVD设备，其包括波导，所述波导连接于微波源，多个槽缝天线形成在所述波导的磁场平面上；电介质板，所述电介质板用于将从所述多个槽缝天线发射的微波引导到等离子体处理室中，从而产生表面波等离子体；绝缘遮蔽构件，所述绝缘遮蔽构件配置成包围产生所述表面波等离子体的成膜处理区域；以及气体喷射部，所述气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中。(2)根据本专利技术的第二方面，在根据第一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件由板状的绝缘材料制成，并且所述表面波等离子体CVD设备还包括配置在所述成膜处理区域的端部的支撑构件；所述绝缘遮蔽构件能拆装地装配于所述支撑构件的朝向所述成膜处理区域的侧面。(3)根据本专利技术的第三方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是薄玻璃板。(4)根据本专利技术的第四方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是表面涂敷有绝缘膜的薄金属板。(5)根据本专利技术的第五方面，在根据第二方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述绝缘遮蔽构件是薄绝缘塑料板。(6)根据本专利技术的第六方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述气体喷射部设置至所述支撑构件。(7)根据本专利技术的第七方面，根据第一方面至第六方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域，以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(8)根据本专利技术的第八方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述电介质板近似地形成为矩形，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括 多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的至少一个长边设置，所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述成膜处理区域中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(9)根据本专利技术的第九方面，在根据第一方面至第五方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述电介质板由近似矩形的第一电介质板和近似矩形的第二电介质板组成，所述第一电介质板和所述第二电介质板以它们的长边彼此相邻的方式并排地配置，并且所述绝缘遮蔽构件配置成将所述成膜处理区域包围成矩形形状；并且所述表面波等离子体CVD设备还包括分隔壁，所述分隔壁配置在并排地配置的第一矩形电介质板和第二矩形电介质板之间，并且所述分隔壁将所述成膜处理区域分成沿着所述来回运动的方向并排地配置的第一分隔区域和第二分隔区域；多个气体喷射部，所述多个气体喷射部沿着所述成膜处理区域的相应长边设置，所述多个气体喷射部将处理材料气体喷射到所述第一分隔区域和所述第二分隔区域二者中；移动装置，所述移动装置执行将是成膜对象的板状基板的在与被所述绝缘遮蔽构件包围成矩形形状的所述成膜处理区域的所述长边正交的方向上的来回运动，使得将是成膜对象的所述基板经过所述成膜处理区域；以及控制装置，所述控制装置根据成膜条件控制由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(10)根据本专利技术的第十方面，根据第九方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括第一微波控制部件，所述第一微波控制部件控制微波的通过所述第一矩形电介质板的供应；第二微波控制部件，所述第二微波控制部件控制微波的通过所述第二矩形电介质板的供应；第一气体控制部件，所述第一气体控制部件控制处理材料气体的向所述第一分隔区域的供应；以及第二气体控制部件，所述第二气体控制部件控制处理材料气体的向所述第二分隔区域的供应。(11)根据本专利技术的第十一方面，在根据第七方面至第十方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，第一等待区域和第二等待区域沿着将是成膜对象的所述基板的移动路径设置在所述等离子体处理室内的所述成膜处理区域的相对两侧，并且所述移动装置在所述第一等待区域和所述第二等待区域之间执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动。(12)根据本专利技术的第十二方面，在根据第七方面至第十一方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，控制将是成膜对象的所述基板的温度的背板布置在由所述移动装置进行的将是成膜对象的所述基板的移动的路径中。(13)根据本专利技术的第十三方面，根据第七方面至第十二方面中的任一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括第一真空容器，所述移动装置和背板布置在所述第一真空容器内，并且所述第一真空容器具有定位成与在其中执行将是成膜对象的所述基板的所述来回运动的区域相对的开口 ；以及第二真空容器，所述第二真空容器经由所述开口连接于所述第一真空容器，并且所述电介质板和所述绝缘遮蔽构件布置在所述第二真空容器内°(14)根据本专利技术的第十四方面，根据第一方面的表面波等离子体CVD设备优选地还包括移动装置，所述移动装置使将是成膜对象的膜状基板移动，使得所述膜状基板经过所述成膜处理区域；以及圆筒形背板，所述圆筒形背板控制该成膜对象的温度。(15)根据本专利技术的第十五方面，在根据第十四方面的表面波等离子体CVD设备中，优选的是，所述圆筒形背板在与所述电介质板相对的区域中支撑所述膜状基板，并且所述移动装置在预定区段上执行所述膜状基板的来回运动以便执行多层形式的成膜。(16)根据本专利技术的第十六方面，一种成膜方法，所述成膜方法用于利用根据第七方面至第十本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木正康，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：