一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备制造技术

本发明专利技术涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，所述远红外芯片由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5～2.0％，纳米银1.0～1.5％。本发明专利技术的有益效果为：在燃气工程中采用本发明专利技术所述的远红外芯片，使燃气雾化更加充分，空气和燃气一起进入混合仓，高速旋转，加入燃烧活化中心发生器不断产生活化中心，使燃烧更充分，节省燃气10％-25％左右。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料领域，尤其涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备。
技术介绍
以硅酸锆和粘土为主体，经人工合成制造的常温远红外辐射材料，可以在一切燃油燃气的设备中使用，并且真正达到节油节气的目的。目前公开的专利号为200410053375. 0的纳米远红外超导材料，和专利号为200510037503. 7的纳米常温远红外线节能材料都未能保证节气率在10%。如何使燃气设备中的空气与燃气混合和燃烧得更加充分，对节能来说也是非常重要的一个环节
技术实现思路
·本专利技术的目的是提供一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，能够使各种燃气(石油气、天然气、煤气等)设备的节能率达到10-25%。本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现一种远红外芯片，由以下重量百分比原料制成娃酸错54 62%, 二硫化钥4 5.5%,氧化镍5 6. 5%,硫化锌4 6%, 二氧化钛11 15%,粘土 8 12%,滑石I I. 5%，纳米铝I. 5 2. 0%，以及纳米银I. 0 I. 5 %。所述远红外芯片的制备过程包括将各原料球磨达800目，过筛，用常规热石腊注浆法制成蜂窝状芯片，排腊后烧成达122本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种远红外芯片，其特征在于，其由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5～2.0％，以及纳米银1.0～1.5％。

【技术特征摘要】
1.一种远红外芯片，其特征在于，其由以下重量百分比原料制成硅酸锆54 62%，二硫化钥4 5. 5%，氧化镍5 6. 5%，硫化锌4 6%，二氧化钛11 15%，粘土 8 12%，滑石I 1.5%，纳米铝I. 5 2.0%，以及纳米银1.0 1.5%。2.一种利用权利要求I所述的远红外芯片的节能设备，包括混合仓，其特征在于混合仓左端设有进风口，混合仓右...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄国明，
申请(专利权)人：庄国明，
类型：发明
国别省市：