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本发明涉及一种远红外芯片及利用该远红外芯片的节能设备，所述远红外芯片由以下重量百分比原料制成：硅酸锆54～62％，二硫化钼4～5.5％，氧化镍5～6.5％，硫化锌4～6％，二氧化钛11～15％，粘土8～12％，滑石1～1.5％，纳米铝1.5...
该专利属于庄国明所有，仅供学习研究参考，未经过庄国明授权不得商用。

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