一种立式化学气相沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种立式化学气相沉积装置，不仅包括反应腔和布气盒，所述反应腔包括多个反应区，还包括位于所述反应区中间位置的中空隔板；其中，所述中空隔板顶部设置有输气孔，且所述中空隔板的侧壁上设置有多个排气孔，从而使得外界气体可以通过所述输气孔进入所述中空隔板中，并通过所述中空隔板侧壁上的排气孔，采用水平喷淋的方式，均匀分布到所述反应区中，进而使得所述立式化学气相沉积装置所产生的等离子体，均匀分布在立于所述反应区内的基片表面，提高所述基片表面沉积的薄膜的均匀性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种立式化学气相沉积装置。技术背景 随着半导体工程向大尺寸方向发展，大面积镀膜设备得到广泛的应用。其中，在太阳能电池领域，以玻璃为基板的薄膜太阳能电池，由于采用整体内部互联技术，而具有有效发电面积率大的优势，从而备受青睐。而立式等离子体化学气相沉积系统(PECVD)，作为一种高产能的薄膜沉积设备，在薄膜太阳能电池中有着广泛的应用。相较于卧式等离子体化学气相沉积系统，立式等离子体化学气相沉积系统具有产能高的特点，但是，利用该立式等离子体化学气相沉积系统，在基片表面沉积的薄膜均匀性较差。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种立式化学气相沉积装置，能够提高现有技术中利用立式等离子体化学气相沉积系统，在基片表面沉积的薄膜的均匀性。为解决上述问题，本技术提供了如下技术方案一种立式化学气相沉积装置，包括反应腔和布气盒，所述反应腔包括多个反应区，还包括位于所述反应区中间位置的中空隔板；其中，所述中空隔板顶部设置有输气孔，且所述中空隔板的侧壁上设置有多个排气孔。优选的，所述中空隔板侧壁上的排气孔间距在竖直方向上呈梯度分布。优选的，所述中空隔板侧壁上的排气孔的孔径尺寸在竖直方向上从上到下依次减小。优选的，所述中空隔板侧壁上的排气孔在竖直方向上均匀分布，且所述中空隔板侧壁上的排气孔的孔径在竖直方向上从上到下依次减小。优选的，所述中空隔板侧壁上的排气孔在水平方向上呈均匀分布。优选的，所述中空隔板侧壁上的排气孔在所述中空隔板的左右两个侧壁上对称分布。优选的，所述排气孔为圆柱形。优选的，所述排气孔为圆锥形。优选的，所述圆锥的横截面积在沿所述反应区到所述中空隔板的方向上逐渐减小。优选的，所述圆锥的横截面积在沿所述反应区到所述中空隔板的方向上逐渐增大。优选的，所述中空隔板的材料为导电材料。优选的，所述中空隔板的材料为金属。优选的，所述中空隔板与外部电源相连；所述反应腔接地。优选的，所述中空隔板与所述反应腔通过绝缘部件固定在一起。优选的，所述中空隔板通过所述输气孔与所述布气盒相连通。与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点本技术所提供的立式化学气相沉积装置中，不仅包括反应腔和布气盒，所述反应腔中包括多个反应区，还包括位于所述反应区中间位置的中空隔板，且所述中空隔板顶部设置有输气孔，所述中空隔板的侧壁上设置有多个排气孔，从而使得外界气体可以通过所述输气孔，从所述布气盒中进入所述中空隔板中，并通过所述中空隔板侧壁上的排气孔，采用水平喷淋的方式，均匀分布到所述反应区中，进而使得所述立式化学气相沉积装置所产生的等离子体，均匀分布在立于所述反应区内的基片表面，提高所述基片表面沉积的薄膜的均匀性。·附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本技术实施例中所提供的立式化学气相沉积装置的结构示意图；图2为本技术一实施例中所提供的中空隔板侧壁上排气孔的分布示意图；图3为本技术另一实施例中所提供的中空隔板侧壁上排气孔的分布示意图；图4为本技术一实施例中所提供的排气孔的形状示意图；图5为本技术另一实施例中所提供的排气孔的形状示意图；图6为本技术又一实施例中所提供的排气孔的形状示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，现有技术中利用立式等离子体化学气相沉积系统，在基片表面沉积的薄膜均匀性较差。专利技术人研究发现，这是由于现有技术中的立式化学气相沉积系统，包括反应腔和布气盒，所述反应腔中多个反应区，以及位于所述反应区中间顶部位置的布气孔。在对位于所述立式化学气相沉积系统中的基片进行薄膜沉积时，是通过位于所述反应区中间顶部位置的布气孔，将外界气体从所述布气盒中，通过向下喷淋的方式，分散到所述反应区中。由于所述反应区两侧的侧壁上所施加的电压不同，所述外界气体进入所述反应区中，会在所述反应区两侧侧壁上不同电压的作用下，电离形成等离子体，在所述基片表面进行沉积。但是，由于所述输气孔位于所述反应区的中间顶部位置，当所述外界气体通过位于所述反应区中间顶部位置的输气孔，进入所述反应区后，所述外界气体就会在重力的作用下，在所述反应区内沿竖直方向呈梯度分布，即在靠近所述反应区底部的位置，形成等离子体的密度较大，而在靠近所述反应区顶部的位置，形成的等离子体的密度较小，从而使得所述等离子体不能在所述基片表面均匀分布，进而导致基片表面所沉积的薄膜均匀性较差。有鉴于此，本技术提供了一种立式化学气相沉积装置，不仅包括反应腔和布气盒，所述反应腔包括多个反应区，还包括位于所述反应区中间位置的中空隔板；其中，所述中空隔板顶部设置有输气孔，且所述中空隔板的侧壁上设置有多个排气孔，从而使得外界气体可以通过所述输气孔，从所述布气盒中进入所述中空隔板中，并通过所述中空隔板侧壁上的排气孔，采用水平喷淋的方式，均匀分布到所述反应区中，进而使得所述立式化学气相沉积装置所产生的等离子体均分布在立于所述反应区内的基片表面，提高所述基片表面沉积的薄膜的均匀性。以上是本申请的核心思想，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术，但是本实用新 型还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。其次，本技术结合示意图进行详细描述，在详述本技术实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。实施例一如图I所示，本技术实施例提供了一种立式化学气相沉积装置，不仅包括反应腔和布气盒109，所述反应腔中包括多个反应区101，还包括位于所述反应区101中间位置的中空隔板102 ;其中，所述中空隔板102顶部设置有输气孔103，且所述中空隔板102的侧壁上设置有多个排气孔104。所述中空隔板102通过绝缘部件105与所述反应腔固定在一起，并通过所述输气孔103与所述布气盒109相连通。所述反应区101为由多个金属板构成的独立空间，其中，所述反应区101左右两侧的金属板106上设置有卡槽107。所述中空隔板102的材料为导电材料，如金属或其他导电材料。当利用该装置进行化学气相沉积时，将待沉积的基片108竖直插放到所述金属板上的卡槽107中，然后将所述反应腔接地，即使反应区101两侧的金属板106接地，并将所述中空隔板102与外部电源相连，对所述中空隔板102施加一定的电压，在所述反应区101两侧的金属板106与中空隔板102之间形成一定的电场。最后，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种立式化学气相沉积装置，包括反应腔和布气盒，所述反应腔包括多个反应区，其特征在于，该装置还包括位于所述反应区中间位置的中空隔板；其中，所述中空隔板顶部设置有输气孔，且所述中空隔板的侧壁上设置有多个排气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊峰，吕勇，陈健健，李先林，魏雪林，
申请(专利权)人：海南汉能光伏有限公司，
类型：实用新型
国别省市：