一种便于清洁的半导体沉积设备结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种便于清洁的半导体沉积设备结构，包括承载结构，其包括一承载圆盘及垂直固定于该承载圆盘侧壁的六对用于承载晶圆的承载棒，且相邻的两对承载棒之间的夹角为60度；环绕于所述承载圆盘四周的加热器，且所述加热器表面具有多个与各该承载棒对应的收容槽；连接于所述承载圆盘底部中心区域，用于带动所述承载圆盘上下移动及带动该承载圆盘沿其中心轴转动的旋转支撑装置；其中，所述承载棒被所述旋转支撑装置固定至超出所述加热器的上表面，且与与其对应的收容槽的夹角为20~40度的位置。本实用新型专利技术可以有效地对加热器进行清理，避免了杂质在收容槽内的残留以及产生颗粒而对晶片造成不良影响，有利于后续的工艺流程，增加产品的良率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体制程设备，特别是涉及一种便于清洁的半导体沉积设备结构。
技术介绍
随着半导体技术的快速发展，半导体器件的特征尺寸的不断缩小，其器件性能越来越高，对器件制造环境的要求也达到了前所未有的高度。半导体中的杂质对电阻率的影响非常大，半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。为了满足量产上的需求，半导体的电性 必须是可预测 并且稳定的，因此包括掺杂物的纯度以及半导体晶格结构的品质都必须严格要求。半导体技术是指半导体加工的各种技术，包括晶圆的生长技术、薄膜沉积、光刻、蚀刻、掺杂技术和工艺整合等技术。沉积技术是半导体制程工艺中的一个非常重要的技术。其中，化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，其可用于沉积大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，化学气相沉积法是将两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。化学气相沉积包括常压化学气相沉积、等离子体辅助化学沉积、激光辅助化学沉积、金属有机化合物沉积等。晶片表面的洁净度是影响化学气相沉积的一个重要因素。一般的化学气相沉积工艺是在沉积工艺室里进行的，在工艺进行前必须先对沉积工艺室进行清洁，以免沉积工艺室内残留的杂质或颗粒对晶片造成不良的影响。一般的结构的沉积设备在清理时会遇到种种问题而不能达到所需的要求，容易造成产品良率的下降，不利于节约成本。因此，提供一种便于清洁的半导体沉积设备结构实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种便于清洁的半导体沉积设备结构，用于解决现有技术中沉积设备结构在清理后仍然残留有杂质或颗粒而对晶片造成不良影响的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种便于清洁的半导体沉积设备结构，所述半导体沉积设备结构至少包括承载结构，所述承载结构包括一承载圆盘及垂直固定于该承载圆盘侧壁的六对用于承载晶圆的承载棒，且相邻的两对承载棒之间的夹角为60度；环绕于所述承载圆盘四周的加热器，且所述加热器表面具有多个与各该承载棒对应的收容槽；连接于所述承载圆盘底部中心区域，用于带动所述承载圆盘上下移动及带动该承载圆盘沿其中心轴转动的旋转支撑装置；其中，所述承载棒被所述旋转支撑装置固定至超出所述加热器的上表面，且与与其对应的收容槽的夹角为20 40度的位置。作为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构的一个优选方案，所述承载棒被所述旋转支撑装置固定至与与其对应的收容槽的夹角为30度的位置。作为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构的一个优选方案，所述承载棒的截面形状为矩形。进一步地，所述收容槽为矩形槽，且所述收容槽的宽度大于所述承载棒的宽度，所述收容槽的深度大于所述承载棒的高度。在本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构中，所述承载圆盘为陶瓷盘，所述承载棒为陶瓷棒。在本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构中，所述加热器的表面为铝盘。如上所述，本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构，具有以下有益效果本·技术包括承载结构，所述承载结构包括一承载圆盘及垂直固定于该承载圆盘侧壁的六对用于承载晶圆的承载棒，且相邻的两对承载棒之间的夹角为60度；环绕于所述承载圆盘四周的加热器，且所述加热器表面具有多个与各该承载棒对应的收容槽；连接于所述承载圆盘底部中心区域，用于带动所述承载圆盘上下移动及带动该承载圆盘沿其中心轴转动的旋转支撑装置；其中，所述承载棒被所述旋转支撑装置固定至超出所述加热器的上表面，且与与其对应的收容槽的夹角为20 40度的位置。本技术将承载棒固定于超出加热器表面并与对应的收容槽具有一定的夹角，把收容槽完全露出，可以有效地对其进行清理，避免了杂质在收容槽内的残留以及产生颗粒而对晶片造成不良影响，有利于后续的工艺流程，增加产品的良率。附图说明图I显示为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构在正常工作时的平面结构示意图。图2显示为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构在正常工作时的截面结构示意图。图3显示为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构在清洁时的平面结构示意图。图4显示为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构在清洁时的截面结构示意图。图5显示为本技术的便于清洁的半导体沉积设备结构的清洁流程示意图。元件标号说明101承载圆盘102承载棒11加热器111收容槽12旋转支撑装置SI S4 步骤I) 步骤4)具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图I 图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图3 图4所示，本实施例提供一种便于清洁的半导体沉积设备结构，所述半导 体沉积设备结构至少包括承载结构,所述承载结构包括一承载圆盘101及垂直固定于该承载圆盘101侧壁的六对用于承载晶圆的承载棒102，且相邻的两对承载棒102之间的夹角为60度；环绕于所述承载圆盘101四周的加热器11，且所述加热器11表面具有多个与各该承载棒102对应的收容槽111 ;连接于所述承载圆盘101底部中心区域，用于带动所述承载圆盘101下移动及带动该承载圆盘101沿其中心轴转动的旋转支撑装置12 ；其中，所述承载棒102被所述旋转支撑装置12固定至超出所述加热器11的上表面，且与与其对应的收容槽111的夹角为20 40度的位置，如图3中的α所示。由于所述旋转支撑装置12在正常运作的情况下只能每次旋转60度，本技术通过修改其控制装置，以使其能在其他的角度下停止转动，以使所述收容槽111完全露出，大大地提高了清理的效果。在本实施例中，所述承载棒102被所述旋转支撑装置12固定至与与其对应的收容槽111的夹角为30度的位置。固定于30度的位置的好处是，只要控制该旋转支撑装置12在重复转过一次30度便可回归到原来与各该收容槽111对应的位置，大大地降低了操作的难度，有利于提高清理的速度和提高生产的效率。所述承载圆盘101为陶瓷盘，所述承载棒102为陶瓷棒。由于陶瓷具有较好的稳定性以及耐热性，故选用陶瓷作为承载圆盘101及承载棒102的制作材料可有利于整个沉积工艺室的稳定。当然，在其它的实施例中，所述承载圆盘101及承载棒102也可以是其它预期的一切耐热耐氧化的刚性材料，如氧化铝或氧化锆等材料。每对承载棒102中的两个承载棒102之间具有一预设的距离，该预设距离可保证晶圆能稳定地放置于该承载棒102对上。相邻的两对承载棒102之间的夹角为60度，是指相邻的两对承载棒102的中心线之间的夹角为60度。为了保证晶片在承载棒102上的稳定，所述承载棒102的截面形状为矩形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种便于清洁的半导体沉积设备结构，其特征在于，所述半导体沉积设备结构至少包括：承载结构，所述承载结构包括一承载圆盘及垂直固定于该承载圆盘侧壁的六对用于承载晶圆的承载棒，且相邻的两对承载棒之间的夹角为60度；环绕于所述承载圆盘四周的加热器，且所述加热器表面具有多个与各该承载棒对应的收容槽；连接于所述承载圆盘底部中心区域，用于带动所述承载圆盘上下移动及带动该承载圆盘沿其中心轴转动的旋转支撑装置；其中，所述承载棒被所述旋转支撑装置固定至超出所述加热器的上表面，且与与其对应的收容槽的夹角为20～40度的位置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：实用新型
国别省市：