III族氮化物半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能够可靠地实现半导体层的位错密度的降低的III族氮化物半导体器件及其制造方法。在制造III族氮化物半导体器件（1）时，在基板（20）上形成掩模层（40）后，通过掩模层（40）的图案（44）使由III族氮化物半导体构成的纳米柱（50）选择性成长，在掩模层（40）上使III族氮化物半导体层（10）成长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及III族氮化物半导体器件及其制造方法。
技术介绍
目前，已知有在SiC基板上形成有GaN系的半导体层的LED元件(例如参照专利文献I)。该LED元件中，使用具有掺杂有B及N的第一 SiC层和掺杂有Al及N的第二 SiC层的荧光SiC基板，从多重量子阱活性层放出近紫外光。近紫外光由第一 SiC层及第二 SiC层吸收，由第一 SiC层从绿色变换成红色的可见光，由第二 SiC层从蓝色变换成红色的可见光。其结果能够从荧光SiC基板放出演色性高 且接近太阳光的白色光。但是，该LED元件中，由于SiC基板和Ga N系半导体层的格子不匹配及热膨胀率差，Ga N系半导体层的位错密度高。其结果存在难以实现Ga N系半导体层的厚膜化及低电阻化的问题。为减少基板上的半导体层的位错密度，提案有在通过MOCVD在基板上经由缓冲层成膜Ga N膜后，利用金属及电介质纳米掩模蚀刻Ga N膜，形成纳米柱的方法(例如参照专利文献2)。根据该方法，在形成纳米柱后，在缓冲层及纳米柱上利用横方向成长使Ga N系半导体层成长。专利文献I :(日本)特许第4153455号公报专利文献2 :(日本)特开2010 -本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：北野司，难波江宏一，小池正好，寺前文晴，近藤俊行，铃木敦志，前田智彦，森绿，
申请(专利权)人：崇高种子公司，
类型：
国别省市：