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制造太阳能电池的发射极区域的方法技术

技术编号:8391091 阅读:173 留言:0更新日期:2013-03-08 03:38
本发明专利技术描述了制造太阳能电池的发射极区域的方法。还描述了在太阳能电池的衬底上形成层的方法以及所得的太阳能电池。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例涉及可再生能源领域,具体而言,涉及。
技术介绍
光伏电池(常被称为太阳能电池)是熟知的用于直接转化太阳辐射为电能的器件。一般来讲,使用半导体加工技术在衬底的表面附近形成P-η结而将太阳能电池制造在半导体晶片或衬底上。入射到衬底表面上的太阳辐射在衬底的体块中产生电子空穴对,这些电子空穴对迁移到衬底中的P-掺杂和η-掺杂区域,从而在所述掺杂区域之间产生电压差。所述掺杂区域与太阳能电池上的金属触点相连以将电流从电池导向与其连接的外部电路。效率是太阳能电池的重要特性,因为其直接关系到太阳能电池的发电能力。因此,提高太阳能电池效率的技术通常是可取的。通过提供用于制造太阳能电池结构的新方法,本专利技术的实施例可供提高太阳能电池效率之用。附图说明图I根据本专利技术的一个实施例示出了流程图,该流程图表示在中的操作。图2Α根据本专利技术的一个实施例示出了剖视图,该剖视图表示在包括发射极区域的太阳能电池的制造阶段。图2Β根据本专利技术的一个实施例示出了剖视图,该剖视图表示对应于图I的流程图的操作102的包括发射极区域的太阳能电池的制造阶段。图2C根据本专利技术的一个实施例示出了剖视图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:大卫·史密斯刘海宁蒂姆·丹尼斯简·曼宁阮信晓安·瓦尔德豪尔吉娜维芙·A·所罗门布伦达·帕古拉彦·马尔加普约瑟夫·拉米雷
申请(专利权)人:太阳能公司
类型:
国别省市:

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