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本发明提供一种能够可靠地实现半导体层的位错密度的降低的III族氮化物半导体器件及其制造方法。在制造III族氮化物半导体器件（1）时，在基板（20）上形成掩模层（40）后，通过掩模层（40）的图案（44）使由III族氮化物半导体构成的纳米柱（...
该专利属于崇高种子公司所有，仅供学习研究参考，未经过崇高种子公司授权不得商用。

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