本发明提供一种发光元件的制造方法及通过该制造方法制造的发光元件，即使使用表面以形成衍射面的周期形成有凹部或凸部的基板，也能够抑制因凹凸的间距造成的III族氮化物半导体的结晶品质的变化。在发光元件的制造方法中，使包含发光层且由III族氮化...

一种LED元件，为了利用衍射作用提高光的取出效率，同时利用起因于衍射的配光特性实现适当的配光，其具备：表面形成有周期的凹部或凸部的蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底的表面上形成且由含有发光层的III族氮化物半导体构成的半导体层叠部、将从发光层发出...

本发明提供一种可以进一步提高光取出效率的LED元件及其制造方法。该LED元件具备：包含发光层的半导体层叠部；衍射面，其被从发光层发出的光入射，并以比该光的光学波长大且比该光的相干长度小的周期形成凸部，按照布拉格衍射条件以多种模式反射入射...

本发明提供可以进一步提高光取出效率的LED元件及其制造方法。在LED元件中，蓝宝石衬底的表面形成具有比从发光层发出的光的光学波长的2倍大且比相干长度小的周期的多个凹部或凸部的垂直化蛾眼面，通过垂直化蛾眼面的反射及透射，以偏向与蓝宝石衬底...

一种半导体发光元件，抑制半导体层与透光性基板之间的反射，使光的取出效率提高。该半导体发光元件具备：半导体层叠部，其形成于基板的表面上，并含有发光层；衍射面，其形成于所述基板的表面侧，入射从发光层发出的光，且以比该光的光学波长长且比该光的...

本发明提供提高了发光效率的SiC荧光材料及其制造方法以及发光元件。荧光材料由碳原子配置于立方体位置和六方体位置的SiC晶体构成，并添加有施主杂质和受主杂质，以使与立方体位置的碳原子置换的施主杂质相对于与六方体位置的碳原子置换的施主杂质的...

本发明提供一种可提高被加工材料和抗蚀剂的蚀刻的选择比的蚀刻方法、通过该蚀刻方法加工的蓝宝石基板、及具备该蓝宝石基板的发光元件。使用等离子蚀刻装置的蚀刻方法包括：在被加工材料上形成抗蚀膜的抗蚀膜形成工序；在所述抗蚀膜上形成规定的图案的图案...

本发明提供通过干式蚀刻精度良好地赋予微细的凹凸结构的带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法。在对由干式蚀刻时的蒸气压相互不同的多个氧化物构成的玻璃基板赋予凹凸结构时，包括...

本发明提供一种能够可靠地实现半导体层的位错密度的降低的III族氮化物半导体器件及其制造方法。在制造III族氮化物半导体器件（1）时，在基板（20）上形成掩模层（40）后，通过掩模层（40）的图案（44）使由III族氮化物半导体构成的纳米...

一种半导体发光元件，抑制半导体层与透光性基板之间的反射，使光的取出效率提高。该半导体发光元件具备：半导体层叠部，其形成于基板的表面上，并含有发光层；衍射面，其形成于所述基板的表面侧，入射从发光层发出的光，且以比该光的光学波长长且比该光的...