包含乙烯和任选硅烷的长链支化(LCB)嵌段或互连共聚物的电子器件模块制造技术

揭示了一种电子器件模块，其包括：A.至少一个电子器件，和B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料包含(1)乙烯类聚合物，所述聚合物的每1000个碳原子中包含至少0.1个戊基支化，所述值通过核磁共振测定，所述聚合物还具有最高峰值熔化温度Tm(℃)以及熔化热Hf(J/g)，所述值通过DSC结晶度测定，其中Tm和Hf的数值对应于以下关系：Tm＞(0.2143*Hf)+79.643，所述乙烯类聚合物具有小于约1摩尔%的己烯共聚单体，和小于约0.5摩尔%的丁烯、戊烯、或辛烯共聚单体。(2)任选的自由基引发剂或光引发剂，其量以所述共聚物的重量为基准计至少约为0.05重量%，(3)任选的助剂，其量以所述共聚物的重量为基准计至少约为0.05重量%，和(4)任选的乙烯基硅烷化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请交叉参考本申请要求2010年6月24日提交的美国临时申请序列第61/358065号的优先权，其通过参考全文结合于此。该申请涉及2007年9月18日提交的美国申请第11/857195号和2009年3月12日提交的美国申请第12/402789号。专利
本专利技术涉及电子器件模块。在一个方面中，本专利技术涉及电子器件模块，其包括：电子器件如太阳能或光伏(PV)电池，和保护性聚合物材料。在另一个方面中，本专利技术涉及电子器件模块，其中的保护性聚合物材料是一种乙烯类聚合物，所述聚合物的每1000个碳原子中包含至少0.1个戊基支化，所述值通过核磁共振测定，所述聚合物还具有最高峰值熔化温度Tm(℃)以及熔化热Hf(J/g)，所述值通过DSC结晶度测定，其中Tm和Hf的数值对应于以下关系：Tm≥(0.2143*Hf)+79.643，优选Tm≥(0.2143*Hf)+81所述乙烯类聚合物具有小于约1摩尔%的己烯共聚单体，和小于约0.5摩尔%的丁烯、戊烯、或辛烯共聚单体，优选小于约0.1摩本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.06.24 US 61/358,0651.一种电子器件模块，其包括
A.至少一个电子器件，和
B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料
包含：
(1)乙烯类聚合物，所述聚合物的每1000个碳原子中包含至少0.1个戊
基支化，所述值通过核磁共振测定，所述聚合物还具有最高峰值熔化温度Tm，
单位为℃，以及熔化热Hf，单位为J/g，所述值通过DSC结晶度测定，其中Tm和Hf的数值对应于以下关系：
Tm≥(0.2143*Hf)+79.643，
其中所述乙烯类聚合物具有小于约1摩尔%的己烯共聚单体，和小于约0.5
摩尔%的丁烯、戊烯、或辛烯共聚单体，
(2)任选的自由基引发剂或光引发剂，其量以共聚物重量为基准计，至少
约为0.05重量%，
(3)任选的助剂，其量以共聚物重量为基准计，至少约为0.05重量%，
(4)任选的乙烯基硅烷化合物。
2.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述电子器件是太阳能电池。
3.如权利要求1所述的模块，其特征在于，存在所述自由基引发剂。
4.如权利要求3所述的模块，其特征在于，所述自由基引发剂是过氧化物。
5.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述聚合物材料为与电子器件的
至少一个表面密切接触的单层膜的形式。
6.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述模块还包括至少一个玻璃盖
片。
7.如权利要求1所述的模块，其特征在于，所述聚合物材料还包含接枝有不
饱和有机化合物的聚烯烃聚合物，所述不饱和有机化合物包含至少一个烯键式不饱
和度和至少一个羰基。
8.如权利要求7所述的模块，其特征在于，所述不饱和有机化合物是马来酸
酐。
9.一种电子器件模块，其包括
A.至少一个电子器件，和
B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料
包含：
(1)乙烯类聚合物，所述聚合物包含至少一种制备型TREF馏分，在采
用制备型温度升高洗脱分馏方法时，该馏分在等于或高于95℃洗脱，所述至少
一种在等于或高于95℃洗脱的制备型TREF馏分的支化水平大于约2甲基/1000
个碳原子，所述值通过P-TREF分馏定甲基/1000碳原子方法测定，其中以该乙
烯类聚合物总重量为基准计，该乙烯类聚合物的至少5重量%在等于或高于<...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·瑙莫维茨，R·M·帕特尔，S·吴，D·H·尼曼，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限公司，
类型：
国别省市：