发光器件及发光器件封装件制造技术

根据实施方案的一种发光器件，包括：支撑衬底；设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；在第一反射电极周围的第一金属层；设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；在第二反射电极周围的第二金属层；以及与第一发光结构的第一导电型第一半导体层的内部接触并且电连接至第二反射电极的接触部。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及发光器件封装件
实施方案涉及一种发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。
技术介绍
LED(发光二极管)已经广泛地用作发光器件。LED利用化合物半导体的特性将电信号转换成光，如红外线、可见光线或者紫外线。随着发光器件的光效率已经得到提高，发光器件已经应用于各种领域如显示器件和照明器件中。
技术实现思路
实施方案提供了一种能够改善工艺稳定性并且包括彼此电连接的多个单元的发光器件、一种发光器件封装件以及一种照明装置。根据实施方案的发光器件包括：支撑衬底；设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在第一发光结构下的第一反射电极；在第一反射电极周围的第一金属层；设置在支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在第二发光结构下的第二反射电极；在第二反射电极周围的第二金属层；以及与第一发光结构的第一导电型第一半导体层的内部接触并且电连接至第二反射电极的接触部。根据实施方案的发光器件包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：支撑衬底；设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；在所述在第一反射电极周围的第一金属层；设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构；在所述第二发光结构下的第二反射电极；在所述在第二反射电极周围的第二金属层；以及与所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层的内部接触并且与所述第二反射电极电连接的接触部。

【技术特征摘要】
2011.08.22 KR 10-2011-00837231.一种发光器件，包括：支撑衬底；设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第一半导体层、在所述第一导电型第一半导体层下的第一有源层、以及在所述第一有源层下的第二导电型第二半导体层的第一发光结构；在所述第一发光结构下的第一反射电极；在所述第一反射电极周围的第一金属层；设置在所述支撑衬底上并且包括第一导电型第三半导体层、在所述第一导电型第三半导体层下的第二有源层、以及在所述第二有源层下的第二导电型第四半导体层的第二发光结构，所述第二发光结构与所述第一发光结构间隔开；在所述第二发光结构下的第二反射电极；在所述第二反射电极周围的第二金属层；以及与所述第一发光结构的所述第一导电型第一半导体层的内部接触并且与所述第二反射电极电连接的接触部，其中所述第二金属层的设置于从所述第二导电型第二半导体层的侧表面到所述第二导电型第四半导体层的侧表面之间的顶表面暴露在所述第一发光结构和所述第二发光结构之间，其中所述第一发光结构和所述第二发光结构之间的间隔在10微米内，以及其中所述支撑衬底支撑所述第一发光结构和所述第二发光结构并且配置为连接至外部电极以对所述第一反射电极供电。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二金属层用作通过隔离蚀刻工艺以使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁焕熙，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：