具有界面绒化层的InP基发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管，包括：P-InP衬底，在P-InP上依次外延生长的p-InP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为5×1020～1×1021；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。该发光二极管的外量子效率高，亮度高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管。
技术介绍
发光二极管(LED)被广泛用作工业用和民用的显示元件，作为高亮度的LED使用了 AlInP的红色LED。另外，作为比红色更短波长的LED使用了 InPP、GaP，但仅得到低亮度的LED。近年来由于可以通过有机金属气相成长(MOVPE)法成长AlGaInP系的结晶层，因此可以制作出红色、黄色、绿色的高亮度LED。 AlGaInP发光二极管结构已日趋成熟，但是由于许多原因，AlGaInP发光二极管的外量子效率偏低。例如，现有技术中的发光二极管是在η型InP衬底上通过MOVPE法依次成长η型InP缓冲层、η型AlGaInP包覆层、AlGaInP活性层、ρ型AlGaInP包覆层、掺杂了Zn的P型GaP电流扩散层而得到。其中由于有源区发射出来的大部分光，在经过外延层时，由于折射率差，发生全反射。使得许多有源区发出的光最终无法从外延层中射出。所以，如何提高AlGaInP发光二极管的外量子效率，以提高其亮度，是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
为了克服现有技术中的缺陷，本专利技术目的在于提供一种外量子效率高，亮度高的发光二极管。本专利技术的发光二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：P?InP衬底，在P?InP上依次外延生长的p?InP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于，在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n?(AlxGa1?x)yIn1?yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为1×1020～5×1021，界面绒化层的外延厚度优选为0.1～0.3微米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：虞浩辉，周宇杭，
申请(专利权)人：江苏威纳德照明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：