Cs2GeB4O9化合物及其单晶体制造技术

本发明专利技术涉及Cs2GeB4O9化合物及其单晶体、制备方法和用途。该化合物属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为，α?=?β?=?γ?=?90°，Z?=?2，晶胞体积为。Cs2GeB4O9晶体的粉末倍频效应是KH2PO4?(KDP)的2.8倍，紫外截止边位于198?nm。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型非线性光学晶体材料。
技术介绍
近年来，随着紫外激光在半导体光刻，生物医学，激光光谱学等科技领域的应用， 全固态紫外激光系统迅速发展，以其体积小巧，性能稳定，光束质量高，维护费用低等优势， 在紫外激光波段大有取代准分子激光器的趋势。因此，作为全固态紫外激光系统的核心部件，能产生紫外谐波的非线性光学晶体具有广泛的应用前景。目前，已报道的大量非线性光学晶体中，可用于紫外激光输出的非线性光学晶体主要集中在硼酸盐体系中，有P-BaB2O4 (ΒΒ0), LiB3O5 (LBO)，CsLiB6O10 (CLBO)，YAl3(BO3)4 (YAB)，KBe2(BO3)F2 (KBBF)等。但是这些晶体在实际应用中，也都存在一定的缺陷。BBO由于双折射率过大，使接收角较小，故对输入的基频光的质量要求特别高量；LB0由于双折射率小，相位匹配范围受到限制，其最短倍频输出波长为276nm ；CLB0由于易于潮解，使用时需要特别保护；YAB由于含Al的原料中常含有Fe，导致生长得到的晶体在紫外区的透过率较低；KBBF则由于结构中的层状特性，导致很难生长获得足够厚的高质量晶体。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
化学式为Cs2GeB4O9的化合物,该化合物属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为，α?=?β?=?γ?=?90°，Z?=?2，晶胞体积为。FDA0000221495711.jpg,FDA0000221495712.jpg,FDA0000221495713.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛江高，徐翔，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：