微粒银粉及其微粒银粉的制造方法技术

本发明专利技术目的在于提供一种以往没有的微粒银粉，该微粒银粉具有粉粒的凝聚少且更加接近单分散的分散性，并且杂质量少。为了达到上述目的，通过使银氨络合物水溶液Ｓ↓［１］流经规定的流路（以下称之为“第一流路”）、设置合流在第一流路的途中的第二流路ｂ、通过该第二流路ｂ流入有机还原剂以及根据需要的添加剂Ｓ↓［２］、在第一流路ａ和第二流路ｂ的合流点ｍ上进行接触混合并还原析出，用过量乙醇进行洗涤，从而得到ａ．根据扫描型电子显微镜图像的图像分析所得到的一次粒子的平均粒径Ｄ↓［１Ａ］为０．６μｍ以下；ｂ．微晶直径为１０ｎｍ以下；ｃ．烧结开始温度为２４０℃以下；ｄ．碳含量为０．２５ｗｔ％以下的、具有以往没有的粉体特性的微粒银粉。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种杂质含量少的微粒银粉。
技术介绍
如专利文献1的记载，以往的银粉制造中，一直采用用硝酸银溶液和氨水制造银氨络合物水溶液，在该银氨络合物水溶液中添加有机还原剂的湿式还原工艺。近年来，这些银粉主要应用在芯片零件、等离子体显示板等的电极或者电路的形成中。专利文献1特开2001-107101号公报因此，在上述电极以及电路中，要求所形成的电路及电极等的大幅度的微细化，要求配线的高密度化、高精度化的同时要求具有很高的可靠性。但是，用以往的制造方法得到的银粉的粉粒，实际上其一次粒子的平均粒径DIA通常超过0.6μm，根据激光回折散乱式粒度分布测定法测定的平均粒径D50超过1.0μm，用D50/DIA表示的凝聚度超过1.7。因此，不适合近年来微细间隔化的电路形成等，成为产品的成品率大幅下降的主要原因。另一方面，从银粉的使用方法来看，存在如下的问题。一直以来，在使用银胶的电路形成中，加热温度300℃以下的非烧成或者低温烧结型的用途多，为了在低温下得到高的烧结性能，优选使用低烧结性的银粉。但是，为了得到低烧结性的银粉，在制造条件上，不得不采用还原迅速的反应体系，其结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微粒银粉，该微粒银粉为粉粒的凝聚性低的微粒银粉，其特征在于，具有以下ａ．～ｃ．的粉体特性：ａ．通过扫描型电子显微镜图像的图像分析而得到的一次粒子的平均粒径Ｄ↓［１Ａ］为０．６μｍ以下；ｂ．利用上述一次粒子的平均粒径Ｄ↓［ １Ａ］和根据激光回折散乱式粒度分布测定法测定的平均粒径Ｄ↓［５０］，用Ｄ↓［５０］／Ｄ↓［１Ａ］表示的凝聚度为１．５以下；ｃ．微晶直径为１０ｎｍ以下；ｄ．以碳量换算的有机杂质的含量为０．２５ｗｔ％以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木卓也，加藤政志，吉丸克彦，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]