【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属粉末材料制备方法。
技术介绍
银纳米线在外加电势作用下产生传导电流，具有块状银的导电性，尤其独特的量子传输效应而在纳米光电器件设计与应用方面备受关注。目前，模板法制备银纳米线主要通过碳纳米管、二氧化硅模板、分子模板吸附纳米颗粒并通过自组织生长为纳米线。但存在产率低、产物与模板分离较难等问题。为解决存在的问题，“一种制备纯银单晶纳米线的装置”，CN1522951，提供了包括直流电源，基片和沉淀在其上的银离子导电膜，金属阳极和金属阴极，其中金属阳极和金属阴极为沉淀在基片两端的银金属膜。这种装置需要特殊设备及制剂。“单晶银纳米线的合成方法”，CN1424163，是在钛酸丁酯介质环境下制备银纳米线，存在无机离子残留或吸附问题。“一种银纳米线的合成方法”，CN1740405，提出预制银晶种，在140-200℃温度下，乙二醇介质两步合成纳米银线的方法，由于单纯的乙二醇溶剂对硝酸银的溶解度有很大限制，不能获得较高浓度的反应体系。因此，该方法不适宜于工业化规模生产。如何制备成本低廉，性能稳定的无过多无机盐污染体系，能够工业化生产纳米银线的方法是目前尚未达到的...
【技术保护点】
用复合溶剂还原制备银纳米线的方法，其特征在于：（１）称量聚乙烯吡咯烷酮粉末将其溶于体积比为１∶０．１～１∶１的丙三醇与水、或乙醇、或异丙醇、或乙二醇、或乙酰丙酮之一的复合溶剂中，加热回流１５～４０分钟；（２）将硝酸银加入体积 比为１∶２的丙三醇与离子交换水混合溶液，形成０．５～２．０Ｍ的Ａｇ↑［＋］溶液，用该溶液喷淋复合溶剂（１），在９０℃～１６０℃之间反应１／４～４小时后收集生成物；其中，复合溶剂中聚乙烯吡咯烷酮单体与Ａｇ↑［＋］的摩尔质量比为０．５～ １０。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韦群燕，杨项军，陈景，黄章杰，
申请(专利权)人：云南大学，
类型：发明
国别省市：53[中国|云南]
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