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贵金属纳米颗粒及其制造方法技术

技术编号:830437 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的在于以工业规模制造分散稳定性优异的贵金属纳米颗粒。本发明专利技术涉及一种贵金属纳米颗粒,其是含有贵金属成分的金属纳米颗粒,还含有含N有机成分和含S有机成分中的至少一种,平均粒径被控制在20nm以下。另外,本发明专利技术涉及一种贵金属纳米颗粒的制造方法,在脂肪族胺的存在下,通过将以通式[R↑[1]R↑[2]R↑[3]R↑[4]N]↓[x][M↓[y](A)↓[z]]表示的季铵盐型贵金属配位化合物进行热处理,制造平均粒径为20nm以下的贵金属纳米颗粒。式中,R↑[1]~R↑[4]是相同或不同的烃基、也可以带有取代基,M是贵金属的至少一种,A是硫醇配体,x表示比0大的整数,y表示比0大的整数,z表示比0大的整数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及。
技术介绍
在以往已知的金属糊中,有称为厚膜糊的金属糊。这是以微米尺寸的金属粉末为主要成分,涂布在陶瓷、玻璃等非导电性基板上,通过在600℃以上高温下煅烧而形成导电膜的糊。已知如果金属颗粒的粒径为100nm以下,则其特性与通常大小的颗粒有很大差异。例如,如果金(Au)的粒径为10nm以下,则其熔点显著低于块状的金的熔点。这就意味着能够以更低的温度形成金属覆盖膜。因此,对于作为用于在耐热性低的有机基板,例如聚酰胺、玻璃环氧树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯等基材上形成导电性薄膜的材料的期待正在提高。事实上,对于使金属纳米颗粒与树脂或分散剂同时在溶剂中分散稳定化,作为电子用配线形成材料的金属糊的实用化进行研究。
技术实现思路
但是,为了在低温(例如200℃以下)下形成导电性薄膜,在其分散性等方面必须进一步改善。因此,本专利技术的主要目的在于提供一种能够以工业规模制造分散稳定性优异的金属纳米颗粒的方法。本专利技术人鉴于上述的以往技术的问题,反复深入研究,结果,发现通过特定制造方法得到的金属纳米颗粒,由于其特殊的结构,表现出特有的性质,至此完成了本专利技术。即,本专利技术涉及下述的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种贵金属纳米颗粒,其是含有贵金属成分的颗粒,其特征在于:还含有含氮有机成分和含硫有机成分中的至少一种,平均粒径为20nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:中许昌美山本真理原田昭雄
申请(专利权)人:大阪市大研化学工业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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