【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种二氧化钒薄膜的制备工艺,具体说,是一种通过非掺杂的反应磁控溅射沉积低相变温度二氧化钒薄膜的简易制备工艺方法。属于功能薄膜
技术介绍
二氧化钒(VO2)是一种过渡金属氧化物,纯的VO2具有在68° C左右从半导体态向金属态转变的特性。VO2薄膜在相变前后的可见光变化较小,而红外光透射率 会发生较大幅度的变化。低于68° C时,晶体结构是单斜型,呈半导体态,有较高的红外透射率,当高于68° C时转变为金红石相,呈金属态,对红外有较高的反射率。太阳光的能量9%分布在 O.2 O. 38 μ m的紫外光区,45%分布在O. 38 O. 78 μ m的可见光区,49%分布在O. 78 2.5 μ m的近红外区,在O. 2 2. 5 μ m的波长范围占了 98%的能量。若使VO2薄膜相变点降到室温左右,可将其用作智能窗材料。当冬天温度低于相变点时,红外光能透过VO2薄膜使室内温度升高,当夏天温度升高到相变点以上时,VO2发生相变使红外光的透过率降低,室内温度降低,实现冬暖夏凉的效果,如此循环往复可实现对室内温度的智能化控制,实现对太阳能的绿色使 ...
【技术保护点】
一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺,其特征在于,该制备工艺采用反应磁控溅射技术和热退火技术,其中在反应磁控溅射技术中以非掺杂的金属钒为靶材,衬底类型为玻璃、硅片或其他晶体材料,以高纯O2气和Ar气为反应气体和溅射气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张东平,黄仁桂,范平,梁广兴,郑壮豪,罗景庭,李岩,
申请(专利权)人:深圳大学,
类型:发明
国别省市:
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