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本发明公开了一种低相变温度二氧化钒薄膜的制备工艺。具体为采用直流反应磁控溅射技术，以非掺杂的金属钒为靶材，衬底为K9玻璃、硅片或其他类型材料，以高纯氧气和氩气为反应气体和溅射气体。首先将真空室抽至1.0～8.0×10-4Pa本底真空，然后通...
该专利属于深圳大学所有，仅供学习研究参考，未经过深圳大学授权不得商用。

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