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一种金色低辐射镀膜玻璃及其制备方法技术

技术编号:8296345 阅读:165 留言:0更新日期:2013-02-06 20:32
本发明专利技术提出一种金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于,该镀膜玻璃包括:玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层;其中,底层电介质层为TiOx层,底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,顶层金属层为Si层。本发明专利技术提出的一种金色LOW-E镀膜玻璃,不仅解决了普通单银玻璃在80°-90°无反射光的现象,还提出了利用非纯金镀金色的制备方法,使LOW-E镀膜玻璃集美观,舒适,价廉于一体,满足了市场的需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及镀膜玻璃
,具体地,涉及。
技术介绍
Low-E玻璃又称低辐射玻璃,是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性,使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比,具有优异的隔热效果和良好的透光性。随着经济的发展,市场对LOW-W玻璃的要求越来越高,不仅要求其具有较高的性能,较强的实用性,还必须集美观、舒适、价廉于一体。但是,市场上普通的镀膜玻璃,从侧面角度看无反射光,没有颜色;而且市场上的金色LOW-E玻璃,使用纯金靶材,价格昂贵。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术的目的在于改善镀膜玻璃透视的颜色及效果,同时降低金色玻璃的制造成本。本专利技术提出一种金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于,该镀膜玻璃包括玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层;其中,底层电介质层为TiOx层,底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSn0x+Si3N4层,顶层金属层为Si层。其中,所述底层电介质层膜厚为10 30nm,底层阻挡层膜厚为O IOnm,功能层膜厚为10 30nm,顶层阻挡层膜厚为O IOnm,顶层电介质层膜厚为80 I IOnm,顶层金属层膜厚为O 10nm。较优地,所述底层电介质层膜厚为19. lnm。所述底层阻挡层膜厚为I. 7nm。所述功能层膜厚为15. 3nm。所述顶层阻挡层膜厚为3. 9nm。所述顶层电介质层膜厚为91. 5nm。所述顶层金属层膜厚为5nm。本专利技术还提出一种金色低辐射镀膜玻璃的制备方法,其特征在于包括如下步骤 (1)洗片;使用纯水,通过洗片机,利用圆盘刷和滚筒刷等工具完成对玻璃基板的清洗; (2)风干;使用热风机进行风干; (3)逐层镀膜;将风干后的所述玻璃基板,置入真空磁控溅射镀膜设备的靶材室进行逐层镀膜,包括在玻璃基板上镀底层电介质;在底层电介质上镀底层阻挡层;在底层阻挡层上镀功能层;在功能层上镀顶层阻挡层;顶层阻挡层上镀顶层电介质层;在顶层电介质层上镀顶层金属层。其中,所述底层电介质层为TiOx ;底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,顶层金属层为Si。 其中,所述底层电介质层TiOx膜层使用氧化钛靶,采用双阴极,中频溅射的方式,在工艺气体02和Ar的参与下,在玻璃基板表面沉积成膜。溅射功率为60KW-90KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar_l· 0E-3mbar。其中,所述底层阻挡层NiCr层或CrNx层,使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层电介质TiOx上沉积成膜。溅射功率为1KW-5KW ;真空灘射气压为1. 0E-3mbar-3. 0E-6mbar。其中,所述功能层Ag层使用银靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积成膜。溅射功率为5KW_15KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar-l. 0E-3mbar。其中,所述顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层,使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在功能层Ag层上沉积形膜。溅射功率为1KW-10KW ;真空灘射气压为5. 0E-3mbar-l. 0E-3mbar。其中,所述顶层电介质层Si3N4层或ZnSn0x+Si3N4层,使用硅铝靶,采用双阴极,中频溅射的方式,在工艺气体N2和Ar的参与下,在顶层阻挡层NiCrNx或CrNx上沉积成膜。溅射功率为30KW-50KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar-l. 0E_3mbar。其中,所述顶层金属层Si膜层使用硅靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在顶层电介质层Si3N4或ZnSn0x+Si3N4上沉积成膜。溅射功率为5KW-15KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar-l. 0E_3mbar。本专利技术提出的一种金色LOW-E镀膜玻璃,不仅解决了普通单银玻璃在80° - 90°无反射光的现象,还提出了利用非纯金镀金色的制备方法,使LOW-E镀膜玻璃集美观,舒适,价廉于一体,满足了市场的需求。附图说明关于本专利技术的优点与精神可以通过以下的专利技术详述及所附图式得到进一步的了解。图I为本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃的结构示意 图2为本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃的膜面反射光谱曲线 图3为本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃的玻璃面反射光谱曲线 图4为本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃的透射特性谱 图5为单片本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标; 图6为双片本专利技术金色LOW-E镀膜玻璃在不同角度的玻璃颜色坐标。具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施例。如图I所示,本专利技术的一种金色LOW-E镀膜玻璃,包括有玻璃基板I和多个膜层。从玻璃基板I向上,依次包括底层电介质层TiOx层2,底层阻挡层NiCr层或CrNx层3,功能层Ag层4,顶层阻挡层NiCrNx层或CrNx层5,顶层电介质层Si3N4层或ZnSn0x+Si3N4层6以及顶层金属层Si层7。本专利技术的一种金色LOW-E镀膜玻璃,第一层膜层TiOx层2,是底层电介质层。TiOx为底层减反射膜。该膜层使用氧化钛靶,采用双阴极,中频溅射的方式,在工艺气体02和Ar的参与下,在玻璃基板表面上沉积形膜。溅射功率为60KW-90KW ;真空溅射气压为5. 0E_3mbar -I. 0E_3mbar ;膜厚为 10 30nm,优选 19. lnm。第二层膜层NiCr层或CrNx层3,是底层阻挡层。NiCr可作为钠离子的阻挡层,它可以很好的阻挡底层电介质层中游离的氧离子侵蚀银层,是银层很好的保护层。该膜层使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层电介质TiOx上沉积形膜。溅射功率为1KW-5KW ;真空溅射气压为1. 0E-3mbar-3. 0E_6mbar ;膜厚为O IOnm,优选I. 7nm。第三层膜层Ag层4,是功能层。Ag不仅决定了膜层的辐射率;而且可以保持玻璃在80° -90°之间时,反光是有颜色的,改善了普通单银侧面无颜色的特点。该膜层使用银 靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体Ar的参与下,在底层阻挡层NiCr或CrNx上沉积形膜。溅射功率为5KW-15KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar_l. 0E_3mbar ;膜厚为 10 30nm,优选 15. 3nm。第四层膜层NiCrNx层或CrNx层5,是顶层阻挡层。NiCrNx —方面可以更好地保护银层免受沉积过程中等离子体的破坏;另一方面通过影响银层与顶层电介质之间的附着力来改善膜层的耐磨性。其中加入了反应气体N2,具有降低玻璃面反射的作用。该膜层使用镍镉靶,采用平面阴极,直流磁控溅射的方式,在工艺气体N2和Ar的参与下,在功能层Ag层上沉积形膜。溅射功率为30KW-50KW ;真空溅射气压为5. 0E-3mbar本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金色低辐射镀膜玻璃,其特征在于,该镀膜玻璃包括:玻璃基板/底层电介质层/底层阻挡层/功能层/顶层阻挡层/顶层电介质层/顶层金属层;其中,底层电介质层为TiOx层,底层阻挡层为NiCr层或CrNx层,功能层为Ag层,顶层阻挡层为NiCrNx层或CrNx层,顶层电介质层为Si3N4层或ZnSnOx+Si3N4层,顶层金属层为Si层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:林嘉佑
申请(专利权)人:林嘉佑
类型:发明
国别省市:

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