能够消影的功能片及电容触摸屏制造技术

本实用新型专利技术提供了一种能够消影的功能片及电容触摸屏，该能够消影的功能片包括第一ITO膜层、玻璃层、第二ITO膜层、钼铝钼膜层，该功能片还包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一ITO膜层、所述二氧化硅膜层、所述五氧化二铌膜层、所述玻璃层、所述第二ITO膜层、所述钼铝钼膜层。本实用新型专利技术的有益效果是通过镀五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，在刻蚀第一ITO膜层的线路后，让整个线路不明显，使得该功能片具有消影的功能，提高用户的视觉享受。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电容触摸屏领域，尤其涉及能够消影的功能片及电容触摸屏。
技术介绍
随着电容式触摸屏在市场上的火爆，国内市场上出现投资电容屏行业的万花争荣现象，电容屏在手机、平板显示、车载导航等上面的应用，让电容屏在市场上仍是供不应求。目前的功能片如图I所示，将图I中的功能片安装在感应式电容式触摸屏后，感应式电容式触摸屏都会遇到一个问题，用TP装机后45度斜视时，会出现ITO线路比较明显的现象，尤其是大尺寸平板上此类现象最为明显，影响消费者的视觉享受。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种能够消影的功能片。本技术提供了一种能够消影的功能片，包括第一 ITO膜层、玻璃层、第二 ITO膜层、钥铝钥膜层，该功能片还包括五氧化ニ铌膜层和ニ氧化硅膜层，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一 ITO膜层、所述ニ氧化硅膜层、所述五氧化ニ铌膜层、所述玻璃层、所述第二 ITO膜层、所述钥铝钥膜层。作为本技术的进ー步改进，所述第一 ITO膜层厚度为25nm、所述ニ氧化硅膜层厚度为40nm、所述五氧化ニ银膜层厚度为6nm。作为本技术的进ー步改进，所述第二 ITO膜层厚度为25nm、所述钥铝钥层厚度为350nm。本技术还提供了 ー种电容触摸屏，该电容触摸屏安装有所述功能片。本技术的有益效果是通过镀五氧化ニ铌膜层和ニ氧化硅膜层，在刻蚀第一ITO膜层的线路后，让整个线路不明显，使得该功能片具有消影的功能，提高用户的视觉享受。附图说明图I是现有技术中的功能片剖面结构示意图。图2是本技术的功能片剖面结构示意图。具体实施方式如图2所示，本技术公开了ー种能够消影的功能片，包括第一 ITO膜层6、玻璃层3、第二 ITO膜层2、钥铝钥膜层I，该功能片还包括五氧化ニ铌膜层4和ニ氧化硅膜层5，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一 ITO膜层6、所述ニ氧化硅膜层5、所述五氧化ニ铌膜层4、所述玻璃层3、所述第二 ITO膜层2、所述钥铝钥膜层I。所述第一 ITO膜层6厚度为25nm、所述ニ氧化硅膜层5厚度为40nm、所述五氧化ニ铌膜层4厚度为6nm、所述第二 ITO膜层2厚度为25nm、所述钥铝钥层I厚度为350nm，所述玻璃层3厚度根据客户需要设定。本技术还公开了 ー种电容触摸屏，该电容触摸屏安装有所述功能片。在白玻璃上镀上ー层第一 ITO膜层6后，玻璃整体透过性能会偏低，把第一 ITO膜层6线路刻蚀后,有第一 ITO膜层6的地方和没有第一 ITO膜层6的地方反射率会不同，从而导制第一 ITO膜层6线路明显，为了实现让第一 ITO膜层6线路不明显，首先得找到ー种跟第一 ITO膜层6叠加时透光性能变化不大，即折射系数跟第一 ITO膜层6差不多的不导电膜层，第一 ITO膜层6膜层在550nm处的折射率为I. 9,而五氧化ニ银在550nm处的折射率也为I. 9左右，即在镀第一 ITO膜层6之前,镀上ー层五氧化ニ银膜，即可在刻蚀第一 ITO膜层6的线路后，让整个线路不明显，但这会碰到两个问题，一是五氧化ニ铌也是金属氧化物，刻蚀第一 ITO膜层6时，也会影响到五氧化ニ铌，最終产品起不到消影的效果，其次是镀膜五氧化ニ铌后比单镀ITO透光性会偏低，故我们在五氧化ニ铌膜层4和第一 ITO膜层6中间，增镀一层折射率与上下两膜层相近的ニ氧化硅，一是起到保护五氧化ニ铌在刻蚀第一 ITO膜层6时不受影响，ニ是根据光学相消干渉原理，在第一 ITO膜层6下面镀五氧化ニ 铌膜层4和ニ氧化硅膜层5，设计好每层膜的膜厚，让镀完五氧化ニ铌膜层4和ニ氧化硅膜层5和第一 ITO膜层6后，让产品呈自然色，根据光学膜系设计软件，所述第一 ITO膜层6厚度为25nm、所述ニ氧化娃膜层5厚度为40nm、所述五氧化ニ银膜层4厚度为6nm。根据这种膜层设计，蚀刻第一 ITO膜层6后,有第一 ITO膜层6和无第一 ITO膜层6的地方在可见光区域内反射率变化不大，固然起到消影的效果，而五氧化ニ铌膜层4和ニ氧化硅膜层5的叠加是AR膜(增透膜)，此消阴膜能起到一定的增透效果。制作时，在真空磁控溅射镀膜线上安装好五氧化ニ铌靶(直流电源控制、磁控溅射)两套，多晶硅靶(交流电源控制、磁控反应溅射)四套，ITO靶(直流电源控制、磁控溅射)，启动镀膜设备，让所有靶材正常溅射后，根据膜系设计软件设计好的每层膜的厚度，调节每种靶材的溅射エ艺(包括溅射功率及电压、エ艺气体流量、磁场的強弱等)以达到膜系要求，然后将连续清洗干净的玻璃基板随基片架进入镀膜箱即可生产出消影增透的ITO玻璃，在黄光刻蚀第一 ITO膜层6后，功能片具有消影及增透的效果，组装成电容触摸屏成品后，以前存在的ITO线路显出，透过性偏低的问题便得到解決。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进ー步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。权利要求1.一种能够消影的功能片，包括第一 ITO膜层、玻璃层、第二 ITO膜层、钥铝钥膜层，其特征在于该功能片还包括五氧化ニ铌膜层和ニ氧化硅膜层，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一 ITO膜层、所述ニ氧化硅膜层、所述五氧化ニ铌膜层、所述玻璃层、所述第ニ ITO膜层、所述钥铝钥膜层。2.根据权利要求I所述的功能片，其特征在于所述第一ITO膜层厚度为25nm、所述ニ氧化硅膜层厚度为40nm、所述五氧化ニ铌膜层厚度为6nm。3.根据权利要求2所述的功能片，其特征在于所述第二ITO膜层厚度为25nm、所述钥铝钥层厚度为350nm。4.ー种具有权利要求I至3任一项所述功能片的电容触摸屏，其特征在于该电容触摸屏安装有所述功能片。专利摘要本技术提供了一种能够消影的功能片及电容触摸屏，该能够消影的功能片包括第一ITO膜层、玻璃层、第二ITO膜层、钼铝钼膜层，该功能片还包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一ITO膜层、所述二氧化硅膜层、所述五氧化二铌膜层、所述玻璃层、所述第二ITO膜层、所述钼铝钼膜层。本技术的有益效果是通过镀五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，在刻蚀第一ITO膜层的线路后，让整个线路不明显，使得该功能片具有消影的功能，提高用户的视觉享受。文档编号C03C17/36GK202658083SQ20122032600公开日2013年1月9日 申请日期2012年7月6日 优先权日2012年7月6日专利技术者黄国锋, 吴侨, 陈箭云 申请人:深圳市新济达光电科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种能够消影的功能片，包括第一ITO膜层、玻璃层、第二ITO膜层、钼铝钼膜层，其特征在于：该功能片还包括五氧化二铌膜层和二氧化硅膜层，该功能片从下至上依次重叠布置为所述第一ITO膜层、所述二氧化硅膜层、所述五氧化二铌膜层、所述玻璃层、所述第二ITO膜层、所述钼铝钼膜层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国锋，吴侨，陈箭云，
申请(专利权)人：深圳市新济达光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：