本实用新型专利技术提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二ITO膜层、用于做为电极的钼铝钼膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一ITO膜层上方，所述第二ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钼铝钼膜层布置于所述第二ITO膜层上方。本实用新型专利技术的有益效果是将桥放在玻璃底层上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制传感器造成报废，而且ITO膜层耐膜，稳定性能好，使此类功能片寿命更长，当在钼铝钼膜层上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电容触摸屏领域，尤其涉及用于表面电容触摸屏的功能片。
技术介绍
由于苹果公司推出的iphone提供的友好人机界面，流畅操作性能使电容式触摸屏受到了市场追捧，各种电容式触摸屏产品纷纷面世。而且随着工艺进步，它的成本不断下降，开始显现逐步取代电阻式触摸屏的趋势，其中电容触摸屏又分为感应和表面电容两种方式；感应电容式在两层ITO涂层上蚀刻出不同的ITO模块，此种结构制作简单，工艺 成熟，现在国内很多中小型生产功能片的厂家都在批量生产，但所有双面ITO结构电容屏都涉及苹果公司的专利，国内一、二线的手机生产厂家如果采用此类触摸屏有面临官司的风险，故国内的电容屏厂家都在开发表面电容触摸屏，搭桥处常规工艺一般采用金属MO-AL-MO搭桥，但此工艺在生产功能片过程中，搭桥处的金属容易出现断路，造成前段的生产良率过低。
技术实现思路
为了解决现有技术中的问题，本技术提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片。本技术提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一 ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二 ITO膜层、用于做为电极的钥铝钥膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一 ITO膜层上方，所述第二 ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钥铝钥膜层布置于所述第二 ITO膜层上方。作为本技术的进一步改进，该功能片还包括玻璃底层，所述第一 ITO膜层布置于所述玻璃底层上方。作为本技术的进一步改进，所述绝缘胶层采用介电绝缘层。作为本技术的进一步改进，所述第一 ITO膜层厚度为30nm。作为本技术的进一步改进，所述钥铝钥膜层镀于所述第二 ITO膜层表面上。本技术的有益效果是将桥放在玻璃底层上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制传感器造成报废，而且ITO膜层耐膜，稳定性能好，使此类功能片寿命更长，当在钥铝钥膜层上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性。附图说明图I是本技术的剖面结构示意图。具体实施方式如图I所示，本技术公开了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一 ITO膜层2、绝缘胶层3、用于做为线路层的第二 ITO膜层4、用于做为电极的钥铝钥膜层5，所述绝缘胶3层布置于所述第一 ITO膜层2上方，所述第二 ITO膜层4布置于所述绝缘胶层3上方，所述钥铝钥膜层5布置于所述第二 ITO膜层4上方。该功能片还包括玻璃底层1，所述第一 ITO膜层2布置于所述玻璃底层I上方。所述绝缘胶层3采用采用介电绝缘层，介电绝缘层也就是本领域所称的OC绝缘胶。所述钥铝钥膜层5镀于所述第二 ITO膜层4表面上。制作时，首先在玻璃底层I镀一层第一 ITO膜层2用来做桥，在桥上涂OC绝缘胶后，低温沉积第二 ITO膜层4，对第二 ITO膜层4经过黄光刻蚀后，再在第二 ITO膜层4表面镀一层MO-AL-MO作电极。该MO-AL-MO膜层即是钥铝钥膜层5。所述第一 ITO膜层2厚度 为 30nm。本技术的有效效果是将桥放在玻璃底层I上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制功能片(senser)造成报废,而且ITO膜层耐膜,稳定性能好,使此类功能片寿命更长，当在钥铝钥膜层5上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性，当刻蚀完金属后，表面不可避免的出现金属残留时，也可以通过手工返修功能片，大大提高产品的直通率。ITO膜层包括第一 ITO膜层2和第二 ITO膜层4。本技术根据ITO膜层比MO-AL-MO膜层耐磨、稳定性强等特点，用第一 ITO膜层2来取代MO-AL-MO膜层来搭桥，此过程工艺简单，对设备精度要求不高，对于国内普通的功能片生产厂家量产表面式电容功能片提供可行性。ITO膜层的主要成份是氧化铟锡，在厚度只有几千埃的情况下，氧化铟透过率高，氧化锡导电能力强。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。权利要求1.一种用于表面电容触摸屏的功能片，其特征在于包括用于做桥的第一 ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二 ITO膜层、用于做为电极的钥铝钥膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一 ITO膜层上方，所述第二 ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钥铝钥膜层布置于所述第二 ITO膜层上方。2.根据权利要求I所述的功能片，其特征在于该功能片还包括玻璃底层，所述第一ITO膜层布置于所述玻璃底层上方。3.根据权利要求2所述的功能片，其特征在于所述绝缘胶层采用介电绝缘层。4.根据权利要求3所述的功能片，其特征在于所述第一ITO膜层厚度为30nm。5.根据权利要求I至4任一项所述的功能片，其特征在于所述钥铝钥膜层镀于所述第二 ITO膜层表面上。专利摘要本技术提供了一种用于表面电容触摸屏的功能片，包括用于做桥的第一ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二ITO膜层、用于做为电极的钼铝钼膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一ITO膜层上方，所述第二ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钼铝钼膜层布置于所述第二ITO膜层上方。本技术的有益效果是将桥放在玻璃底层上，减少后段生产过程中桥不可避免的磨擦外物而导制传感器造成报废，而且ITO膜层耐膜，稳定性能好，使此类功能片寿命更长，当在钼铝钼膜层上刻蚀表面金属层时，只要刻出电极就好，而不必即要刻电极，又要刻桥，减少了不良发生的可能性。文档编号G06F3/044GK202711220SQ20122032603公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月6日 优先权日2012年7月6日专利技术者黄国锋, 吴侨, 陈箭云 申请人:深圳市新济达光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于表面电容触摸屏的功能片，其特征在于：包括用于做桥的第一ITO膜层、绝缘胶层、用于做为线路层的第二ITO膜层、用于做为电极的钼铝钼膜层，所述绝缘胶层布置于所述第一ITO膜层上方，所述第二ITO膜层布置于所述绝缘胶层上方，所述钼铝钼膜层布置于所述第二ITO膜层上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄国锋，吴侨，陈箭云，
申请(专利权)人：深圳市新济达光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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