一种纳米W-Cu复合粉体的制备方法技术

一种纳米Ｗ－Ｃｕ复合粉体的制备方法属于粉末冶金技术领域。现有Ｗ－Ｃｕ复合粉体的制备方法存在粒度大、分布不均匀的问题。本发明专利技术通过将偏钨酸铵粉末与硫酸铜粉末分别溶于水中，混合澄清后，使用氮气喷枪将其分散在液氮中冷冻，再置于冻干机中进行真空干燥得到前驱体，在氢气气氛中对前驱体进行还原得到纳米Ｗ－Ｃｕ复合粉体。本发明专利技术方法制备的复合粉体粒度分布和化学组分均匀，粉体的晶粒明显细化，从而可以提高钨铜合金的致密度、导热和导电性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于粉末冶金
，具体涉及一种纳米W-Cu复合粉 体的制备方法。
技术介绍
由W和Cu合成的W-Cu复合材料是由互不相溶的W、 Cu两相均匀 混合形成的假合金，被广泛应在到电工材料、电子、军工航天及大规 模集成电路和大功率微波器件中。由纳米W-Cu粉体制备的W-Cu复合 材料具有良好的导热导电性、抗熔焊性和高强度、高硬度、低膨胀系 数等优势。目前，主要采用机械球磨制备纳米W-Cu复合粉体，其存 在的问题是l) W-Cu复合粉体的粒度较大，易产生膨胀，且难以烧结 致密；2 ) W-Cu复合粉体中W与Cu的分布不均匀，从而造成W-Cu合 金中W与Cu的分布不均匀，直接影响导电、导热性能。这些问题的 存在限制W-Cu合金发展和应用，因而W-Cu粉末粒度的控制，成为研 究的焦点之一。文献调查的结果表明，冷冻干燥技术制备纳米W-Cu复合粉体的 研究，至今国内外还没有相关报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中的问题，而提供一种组分均匀 的纳米W-Cu复合粉体的制备方法。本专利技术所提供的纳米W-Cu复合粉体的制备方法，包括以下步骤1)分别将偏鴒酸铵白色晶体粉末和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米Ｗ－Ｃｕ复合粉体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：　　　　１）分别将偏钨酸铵（ＮＨ↓［４］）↓［６］Ｈ↓［２］Ｗ↓［１２］Ｏ↓［４０］.１４Ｈ↓［２］Ｏ白色晶体粉末和硫酸铜ＣｕＳＯ↓［４］.５Ｈ↓［２］Ｏ蓝色晶体粉末溶于水中，待澄清后，将两种溶液按目标复合粉体中Ｗ的质量百分比为６０～９５％，Ｃｕ的质量百分比为５～４０％进行混合，澄清得到混合溶液；　　　　２）使用氮气喷枪，将步骤１）中的澄清混合溶液分散在液氮中预冻，得到冻结物；　　　　３）将冻结物置于冻干机中进行真空干燥得到前驱体；　　　　４）将前驱体进行二次氢气还原，氢气流量为０．１～０．５ｍ↑［３］／ｈ，第一次加热到２００～４０...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂祚仁，席晓丽，皮雄，左铁镛，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]