一种白光LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种白光LED芯片，在所述第一衬底上形成发光元件；在所述发光元件的上覆盖表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层采用磁控溅射、离子辅助蒸发或电子束蒸发法形成，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。综上所述，本实用新型专利技术所述白光LED芯片，在发光元件上形成表面荧光体层，所述表面荧光体层为固体状材质，代替现有技术中硅胶与荧光粉的混合体，覆盖于所述发光元件上，使荧光粉的浓度均匀，颜色均匀性好，进而提高同批次产品的色温的均匀性，形成色温一致的白光LED芯片。同时表面荧光体层直接设置发光元件上，使得在芯片级发出白光，大大提高了白光的生产效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及光电
，具体涉及在LED芯片表面形成表面荧光体层，实现白光发射的一种白光LED芯片及其制作方法。
技术介绍
LED(发光二极管，Light Emitting Diode)根据发光材料不同可以发射不同颜色的光，由于具有低电压驱动、全固态、低功耗、长效可靠等优点，利用光混色原理可以实现白光的发射，是一种符合环保节能绿色照明理念的高效光源。现有技术中实现白光的方式主要有三种即蓝光LED芯片与黄色荧光粉混合；紫外LED激发RGB荧光粉混合得到白光；红、 绿、蓝三基色LED多芯片集成封装成白光。其中可以在外延生长阶段通过外延生长发射蓝光与黄光的量子阱层获得白光，也可以通过封装阶段通过在蓝光LED芯片上面涂覆硅胶与荧光粉的混合体获得白光。通过外延生长发射蓝光和黄光的量子阱层，采用该方法获得白光不仅内量子效率低，而且发射的蓝光与黄光的半波宽窄得到的白光均匀性差。在现有技术中，采用在具有激发紫外光或蓝紫光的发光元件上涂覆硅胶与荧光粉的混合体获得白光，采用该方法实现白光LED，由于荧光粉的沉降速度不一致使荧光粉层的浓度不均匀，以及固晶时LED芯片的位置不在正中，导致蓝光LED通过荧光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光LED芯片，包括：第一衬底；发光元件，所述发光元件位于所述第一衬底上；表面荧光体层，覆盖于所述发光元件上，所述表面荧光体层为固体状材质，所述表面荧光体层的厚度为10μm～100μm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张昊翔，万远涛，高耀辉，金豫浙，封飞飞，李东昇，江忠永，
申请(专利权)人：杭州士兰明芯科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：