【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种LED发光二极管外延生长设备的改进，属于LED发光二极管外延生长设备领域。
技术介绍
LED 发光二极管外延生长设备即 MOCVD (Metal-Organic Chemical VaporDeposition),中文名称金属有机化学气相沉积，是以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种III-V族、II -VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。传统MOCVD反应系统包括反应腔、用于输入反应气体的喷淋盘、设置于反应腔底部的加热基座、对基座进行加热的加热器、设置在反应腔底部用于排出反应副产物的排气口。MOCVD设备长期以 来一直依赖进口，其价格昂贵，导致半导体光源价格拘于高位，不利推广，国内由于不掌握关键设备技术，反过来极大地制约了材料技术和器件性能的提高，制约了我国光电子产业的进一步发展，也成了发展我国高端光电子器件的瓶颈。这就要求我们能自己掌握MOCVD设备特别是反应系统的设计与制造技术，实现光电子产业的一个重大突破。磊晶的重要指标之一，就是其厚度...
【技术保护点】
一种LED发光二极管外延生长新设备，包括电控箱、混气箱、反应腔、传送箱、尾气处理系统，其特征在于反应腔侧壁不垂直于外延生长载盘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：庄文荣，孙明，
申请(专利权)人：江苏汉莱科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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