【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体工艺气体浓度控制领域，特别涉及气度浓度控制装置、系统和方法。
技术介绍
硅片是一种重要的半导体材料，它的加工工艺，特别是外延工艺，随着硅片直径增大，集成电路的结构越来越复杂，器件的性能要求越来越高，娃外延片在娃材料中的比重越来越大，同时对其参数的要求也进一步提高。其中外延层厚度是一个关键参数，因而必须精确控制。例如，控制外延层厚度以保证埋层的外扩散和自掺杂不会消耗外延层，另外，一些双极型器件的参数，如击穿电压、结电容、晶体管增益和交流特性，都取决于外延层厚度。根据Grove外延膜生长模型，外延膜的生长速率正比于气体中反应物的摩尔分数，因而精确控制控制源气体浓度就至关重要。目前的外延工艺多数采用粗略控制，或者是采用液体气相控制器(LVC)作为气体浓度控制器件。但是，这些控制方法的稳定性，均匀性和可重复性·差，其控制效果会随着工艺条件的不同而产生波动，从而降低外延片的成品率。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本技术的目的是设计一种控制精度高、使用范围广泛的气体浓度控制装置、系统及其控制方法，以克服现有技术的不足。(二)技术方案一种气体浓度控制装置，所述装...
【技术保护点】
一种气体浓度控制装置，其特征在于，所述装置包括：进口气路单元，用于控制、过滤、调节以及显示进口气体压力，并将处理后的气体送入源瓶；源瓶，用于存放源气体；出口气路单元，用于控制以及显示出口气体压力，并将源瓶出口的混合气体送入气体浓度检测单元；气体浓度检测单元，用于检测气体的携带源浓度，并将混合气体通过流量控制单元；流量控制单元，用于控制混合气体流量，并将混合气体通入工艺腔室。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：崔娟娟，程朝阳，刘俊豪，马超，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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