包含具有低不饱和度和任选的乙烯基硅烷的聚烯烃共聚物的电子器件模块制造技术

本发明专利技术揭示一种电子器件模块，其包括：A.至少一个电子器件，例如，太阳能电池，和B.与所述电子器件的至少一个表面密切接触的聚合物材料，所述聚合物材料包括：(1)基于乙烯的聚合物组合物，其特征为共聚单体分布常数大于约45，更优选大于50，最优选大于95，且高达400，优选高达200，其中该组合物中具有少于120个总不饱和单元/1,000,000C，优选地，该基于乙烯的聚合物组合物包含至多约3个长链分支/1000个碳，更优选约0.01至约3个长链分支/1000个碳；该基于乙烯的聚合物组合物可具有的ZSVR至少为2；该基于乙烯的聚合物组合物进一步的特征可为包含少于20个的1,1-亚乙烯基不饱和单元/1,000,000C；该基于乙烯的聚合物组合物可具有双峰分子量分布(MWD)或多峰MWD；在35℃至120℃和不进行吹扫的情况下，该基于乙烯的聚合物组合物可具有包含单峰或双峰分布的共聚单体分布曲线；该基于乙烯的聚合物组合物可包含单一DSC熔化峰；该基于乙烯的聚合物组合物可包含约17,000至约220,000的重均分子量(Mw),(2)任选的乙烯基硅烷，(3)任选的自由基引发剂，例如，过氧化物或偶氮化合物，或光引发剂，例如，二苯甲酮，(4)任选的活性助剂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及电子器件模块。一方面，本专利技术涉及电子器件模块，其包括电子器件，例如，太阳能电池或光伏(PV)电池，和保护性聚合物材料，而另一方面，本专利技术涉及电子器件模块，其中所述保护性聚合物材料是基于乙烯的聚合物组合物，其特征为共聚单体分布常数大于约45，更优选大于50，最优选大于95，且高达400，优选高达200，其中该组合物中 具有少于120个总不饱和单元/1，000，000C，优选地，该基于乙烯的聚合物组合物包含至多约3个长链分支/1000个碳，更优选约O. 01至约3个长链分支/1000个碳原子；该基于乙烯的聚合物组合物可具有的ZSVR至少为2 ;该基于乙烯的聚合物组合物进一步的特征可为包含少于20个的1，I-亚乙烯基不饱和单元/1，000, 000C ;该基于乙烯的聚合物组合物可具有双峰分子量分布(MWD)或多峰MWD ;在351至120°C和不进行吹扫的情况下，该基于乙烯的聚合物组合物可具有包含单峰或双峰分布的共聚单体分布曲线；该基于乙烯的聚合物组合物可包含单一 DSC熔化峰；该基于乙烯的聚合物组合物可包含约17，000至约220，000的重均分子量(Mw)。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·A·瑙莫维茨，R·M·帕特尔，S·吴，D·H·尼曼，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限公司，
类型：
国别省市：