高压元件及其制造方法技术

本发明专利技术提出一种高压元件及其制造方法，高压元件形成于第一导电型基板中，高压元件包含：第二导电型埋层，形成于第一导电型基板中；第一导电型井区，由剖视图视之，第一导电型井区介于基板上表面与第二导电型埋层之间；以及第二导电型井区，与第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，第二导电型井区包括井区下表面，其具有第一部分与第二部分，第一部分位于第二导电型埋层上方，并与第二导电型埋层电性耦接，且第二部分不在第二导电型埋层上方，并与第一导电型基板形成PN接面。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高压元件及其制造方法，特别是指一种增强崩溃防护电压的高压元件及其制造方法。
技术介绍
图I显示现有技术的横向双扩散金属氧化物半导体(lateral double diffusedmetal oxide semiconductor, LDMOS)兀件剖视图。如图I所不，P型基板11中具有多个绝缘区12,以定义元件区100,绝缘区12例如为浅沟槽绝缘(shallow trench isolation,STI)结构或如图所不的区域氧化(local oxidation of silicon,L0C0S)结构；P型基板11还包含N型埋层14。LDMOS元件形成于元件区100中，除N型埋层14外，还包含栅极13、漏极15、源极16、P型井区17、以及N型井区18。其中，N型埋层14、漏极15、源极16、以及 N型井区18由微影技术或以部分或全部的栅极13、绝缘区12为屏蔽，以定义各区域，并分别以离子植入技术，将N型杂质，以加速离子的形式，植入定义的区域内所形成；而？型井区17则是由微影技术，定义该区域，并以离子植入技术，将P型杂质，以加速离子的形式，植入定义的区域内所形成。其中，漏极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一基板上表面，其特征在于，该高压元件包含：一第二导电型埋层，形成于该第一导电型基板中；一第一导电型井区，形成于该基板上表面下方，且由剖视图视之，该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间；以及一第二导电型井区，形成于该基板上表面下方，且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，该第二导电型井区包括一井区下表面，且该井区下表面具有第一部分与第二部分，该第一部分位于该第二导电型埋层上方，并与该第二导电型埋层电性耦接，且该第二部分不在该第二导电型埋层上方，并与该第一导电型基板形成PN接面。

【技术特征摘要】
1.一种高压兀件,形成于一第一导电型基板中，该第一导电型基板具有一基板上表面，其特征在于，该高压元件包含 一第二导电型埋层，形成于该第一导电型基板中； 一第一导电型井区，形成于该基板上表面下方，且由剖视图视之，该第一导电型井区介于该基板上表面与该第二导电型埋层之间；以及 一第二导电型井区，形成于该基板上表面下方，且该第二导电型井区与该第一导电型井区在水平方向上位于不同位置并相邻接，其中，该第二导电型井区包括一井区下表面，且该井区下表面具有第一部分与第二部分，该第一部分位于该第二导电型埋层上方，并与该第二导电型埋层电性耦接，且该第二部分不在该第二导电型埋层上方，并与该第一导电型基板形成PN接面。2.如权利要求I所述的高压元件，其中，该第二导电型井区于该高压元件操作于一不导通状态时，大致空乏。3.如权利要求I所述的高压元件，其中，还包含一第二导电型漂移区，位于该第二导电型井区中，且在水平方向上定义于该第一导电型井区与一漏极之间，其中当该高压元件操作于一不导通状态时，该第二导电型漂移区完全空乏。4.如权利要求I所述的高压元件，其中，该高压元件为一横向双扩散金属氧化物半导体元件或双扩散漏极金属氧化物半导体元件。5.如权利要求I所述的高压元件，其中，该第一导电型基板包括一第一导电型裸基板、一第一导电型埋层、或一第一导电型磊晶层；其中该第一导电型埋层由离子植入制程步骤植入第一导电型杂质所形成，且该第一导电型磊晶层由磊晶技术所形成。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄宗义，朱焕平，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：