一种横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，该横向双扩散金属氧化物半导体包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的阱区；在所述半导体衬底中与所述阱区相邻形成的漂移掺杂区，所述漂移掺杂区与所述阱区导电类型相反；在所述阱区中形成的源极；在所述漂移掺杂区中形成的漏极；在所述半导体衬底中所述阱区和漂移掺杂区之间形成的沟槽；在所述沟槽底部及侧壁上形成的栅极介电层；在所述栅极介电层上形成的栅极,其中，所述栅极介电层在栅极与源/漏极之间的栅极介电层的厚度大于沟槽底部的栅极介电层的厚度；所述栅极介电层为氧化物层；所述沟槽底部的沟道的深度低于所述源/漏区与所述半导体衬底之间的结深度。通过使用此结构，能提高击穿电压，同时达到更好的原件性能，解决了传统横向双扩散金属氧化物半导体，高击穿电压与高元件性能之间不能同时获得的问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地说，涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法。
技术介绍
在高压MOS管的发展过程中，主要有垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)和横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)两种类型。虽然垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)导通电阻小，占用版图面积也小，但是它是纵向结构，不易和低压CMOS电路兼容。而横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)具有更好的热稳定性和频率稳定性、更高的增益和耐久性、更低的反馈电容和热阻，以及恒定的输入阻抗和更简单的偏流电路，因此，在目前得到了比较广泛的应用。 图2为现有技术中传统的横向双扩散金属氧化物半导体器件结构示意图。横向双扩散金属氧化物半导体20随机地举例为N沟槽型金属氧化物半导体。所述横向双扩散金属氧化物半导体20包括p型衬底201、形成在P型衬底201上用作漂移区的低掺杂的η型阱202、形成在P型衬底201上与所述低掺杂的η型阱202相邻的ρ型体扩散区203、形成在P型体扩散区203上表面的重η型掺杂的源极扩散区204、形成在η型阱202上表面的重η型掺杂的漏极扩散区205、形成在所述衬底上表面的栅极氧化物2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向双扩散金属氧化物半导体，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的阱区；在所述半导体衬底中与所述阱区相邻形成的漂移掺杂区，所述漂移掺杂区与所述阱区导电类型相反；在所述阱区中形成的源极；在所述漂移掺杂区中形成的漏极；在所述半导体衬底中所述阱区和漂移掺杂区之间形成的沟槽；在所述沟槽底部及侧壁上形成的栅极介电层；在所述栅极介电层上形成的栅极；？其特征在于，所述栅极介电层在栅极与源/漏极之间的栅极介电层的厚度大于沟槽底部的栅极介电层的厚度。

【技术特征摘要】
1.一种横向双扩散金属氧化物半导体，包括 半导体衬底； 在所述半导体衬底中形成的阱区； 在所述半导体衬底中与所述阱区相邻形成的漂移掺杂区，所述漂移掺杂区与所述阱区导电类型相反； 在所述阱区中形成的源极； 在所述漂移掺杂区中形成的漏极； 在所述半导体衬底中所述阱区和漂移掺杂区之间形成的沟槽； 在所述沟槽底部及侧壁上形成的栅极介电层； 在所述栅极介电层上形成的栅极； 其特征在于，所述栅极介电层在栅极与源/漏极之间的栅极介电层的厚度大于沟槽底部的栅极介电层的厚度。2.如权利要求I所述的横向双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，所述栅极介电层为氧化物层。3.如权利要求I所述的横向双扩散金属氧化物半导体，其特征在于，位于所述沟槽底部的沟道的深度低于所述源/漏区与所述半导体衬底之间的结深度。4.一种横向双扩散金属氧化物半导体的制作方法，所述方法包括 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底中形成阱区； 在所述半导体衬底中与所述阱区相邻地...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘金华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：