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本发明提供了一种横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法，该横向双扩散金属氧化物半导体包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的阱区；在所述半导体衬底中与所述阱区相邻形成的漂移掺杂区，所述漂移掺杂区与所述阱区导电类型相反；在所述阱区中形成的源...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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