【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种高压元件，形成于一第一导电型基板中，且另有一低压元件形成于该基板中，该基板具有一上表面，其特征在于，该高压元件包含：一漂移区，形成于该上表面下方，其具有第二导电型；一栅极，形成于该上表面上方，且至少部分该漂移区位于该栅极下方；一源极与一漏极，皆具有第二导电型，分别形成于栅极两侧的上表面下方，且该漏极位于该漂移区中，而该漏极与该栅极间，由该漂移区隔开；以及一缓和区，具有第二导电型，形成于该上表面下方的该漂移区中，且该缓和区介于该栅极与该漏极之间，且该缓和区与该低压元件中的一轻掺杂漏极区，利用相同制程步骤所形成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄宗义，邱建维，
申请(专利权)人：立锜科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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