【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种脉冲功率晶闸管，属于大功率半导体开关器件，包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，四层为P1阳极区、N1长基区、P2短基区和N2阴极区，三个端子分别为阳极A、阴极K和门极G，其特征是：所述的N2阴极区位于以P2短基区中心为圆心的圆环形区域内，且在N2阴极区内形成相互隔离的阴极小元胞，该各阴极小元胞并联形成阴极K；门极G位于N2阴极区的中心处。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：颜家圣，张桥，刘小俐，肖彦，吴拥军，
申请(专利权)人：湖北台基半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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