焦平面阵列及其制造方法技术

本发明专利技术公开了形成具有至少一个像素（2）的焦平面阵列的方法，焦平面阵列通过下列步骤来制造：形成具有设置在表面上的传感材料（3）的第一晶片，该表面由第一牺牲层覆盖，传感材料是限定至少一个像素的电热材料；为第一牺牲层内的至少一个像素中的每个提供支撑腿（7），使用另一牺牲层覆盖它们，并在牺牲层的表面中形成与支撑腿接触的第一传导部分；形成具有读出集成电路（ROIC）的第二晶片（9），第二晶片由第二牺牲层覆盖，在第二牺牲层内形成有与ROIC接触的第二传导部分；将第一晶片和第二晶片的牺牲氧化层放到一起，使得第一和第二传导部分对齐，并将它们键合在一起，使得当第一晶片的牺牲体层被移除时，传感材料从第一晶片转移到第二晶片；以及移除牺牲层，以释放所述至少一个像素，使得支撑腿被布置在它下面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及焦平面阵列的制造，特别是使用传感材料的转移键合制造用在热成像设备中的焦平面阵列。
技术介绍
成像设备的分辨率非常大地取决于在其焦平面阵列中提供的像素的数量。像素的数量又被焦平面阵列的尺寸限制。在现有焦平面阵列中，像素通常由从相对侧延伸的腿支撑。然而，以这种方式布置的腿占据焦平面阵列内的有价值的空间，这限制了可用的传感材料的量，并因此限制了成像设备的性能。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供焦平面阵列，其中有源传感区域被最大化。根据本专利技术，提供了形成包括一个或多个像素的焦平面阵列的方法，焦平面阵列通过下列步骤来制造形成具有设置在表面上的传感材料的第一晶片，所述表面由第一牺牲层覆盖，所述传感材料限定第一晶片上的一个或多个像素；为第一牺牲层内的所述一个或多个像素中的每一个提供支撑腿，使用另一牺牲层覆盖它们，并为在牺牲层的表面中的所述一个或多个像素中的每一个形成与相应的支撑腿接触的第一传导部分；形成具有读出集成电路(ROIC)的第二晶片，第二晶片由第二牺牲层覆盖，在第二牺牲层内有为所述一个或多个像素的每一个形成的与ROIC接触的第二传导部分；将第一晶片和第二晶片的牺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里亚娜·勒珀达图，佐蒙德·基特尔斯兰德，
申请(专利权)人：森松诺尔技术有限公司，
类型：
国别省市：