测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法技术

本发明专利技术公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和与之相同厚度的N型硅外延层，每去除一层，就测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总-i，直到测到第N层；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。该方法利用并联电阻的测算原理，将整个深沟槽内的外延层分成多层电阻并联，然后分别计算出各层的电阻值，从而能够有效分析出SJ沟槽内外延层掺杂的纵向分布情况。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种测量超级结深沟槽内外延层电阻值的纵向分布情况的方法。
技术介绍
超级结(SJ)的先进制造工艺如图I所示，首先，在硅衬底I上生长一层厚的N型硅外延层2，然后，在此N型硅外延层2上形成一个深沟槽3，再用P型硅外延填充深沟槽3。超级结的主要理论是P型杂质和N型杂质的匹配，从而提高器件的击穿电压(breakdown voltage, BV),但如果P型杂质和N型杂质失配或匹配精度不高,则会导致击穿电压迅速下降。在硅外延填充沟槽的过程中，由于沟槽顶部和沟槽底部气体浓度有一 定的差异，所以可能导致沟槽内部掺杂不均匀，如果不对沟槽内部填充外延掺杂的纵向分布或N型外延层的纵向分布进行调整，会导致P和N的匹配在某一纵向范围内的失配，从而导致击穿电压下降。但沟槽内的外延层掺杂纵向分布如何分析是一个难题，由于沟槽宽度小，深度深，常规分析方法，如扩展电阻法、四探针法、Hg探针法、SIMS等，都无法有效测量出SJ深沟槽内的外延层掺杂的纵向分布。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以有效分析出超级结深沟槽内外延层掺杂的纵向分布情况。为解决上述技术问题，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长一层N型硅外延层；(2)在该N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充该沟槽；其特征在于，还包括以下步骤：(4)将步骤(3)形成的P型硅外延层划分为N层，测定该N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型硅外延层和相同厚度的N型硅外延层，且每去除一层，测定一次剩余P型硅外延层的电阻Rs总？i，直到测到第N层，其中，i为1～N的自然数；(6)计算P型硅外延层每次去除部分的电阻Rsi。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于源源，刘继全，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：