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本发明公开了一种测量超级结深沟槽内外延层电阻纵向分布的方法，包括步骤：(1)在硅衬底上生长N型硅外延层；(2)在N型硅外延层上刻蚀出沟槽；(3)用P型硅外延填充沟槽；(4)将P型硅外延层划分为N层，测定N层的总电阻Rs总；(5)逐层去除P型...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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