存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法制造方法及图纸

一种存储器储存装置、存储器控制器与数据写入方法。此存储器储存装置耦接主机系统，且存储器储存装置包括错误检查与校正电路与可复写式非易失性存储器芯片。此方法包括在准备将写入数据写入至可复写式非易失性存储器芯片时，判断写入数据是否属于特定类型。此方法还包括若写入数据属于特定类型，由错误检查与校正电路根据写入数据产生符合第一长度的至少一第一类错误检查与校正码。此方法还包括若写入数据不属于特定类型，由错误检查与校正电路根据写入数据产生符合第二长度的至少一第二类错误检查与校正码。其中，第一长度大于第二长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种数据写入方法，尤其涉及一种强化特定数据的保护的数据写入方法与实行该方法的存储器储存装置与存储器控制器。
技术介绍
可复写式非易失性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非易失性、省电、体积小与无机械结构等特性，故被广泛地应用于各种电子装置。可复写式非易失性存储器具有多个实体区块，且每一实体区块具有多个实体页面。其中，实体区块为数据抹除的最小单位，而实体页面则是数据写入的最小单元。储存装置中的存储器管理电路会将 主机系统欲存取的逻辑存取地址转换对应的逻辑页面，并至该逻辑页面所对应的实体页面进行存取。由于储存在可复写式非易失性存储器的数据可能会因存储器单元漏电、编程失败或损毁等因素而产生错误位元，因此使用可复写式非易失性存储器的储存装置会配置一错误检查与校正电路来识别数据的正确性。一般来说，错误检查与校正电路对于所有存入可复写式非易失性存储器的数据是采用统一的保护方式。换言之，错误检查与校正电路会为所有数据产生相同长度的错误检查与校正码，因此无论数据是属于何种类型，错误检查与校正电路所能检测与校正的错误位元数都相同。然而，对于重本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据写入方法，用于耦接至一主机系统的一存储器储存装置，其中该存储器储存装置包括一错误检查与校正电路与一可复写式非易失性存储器芯片，该可复写式非易失性存储器芯片包括多个实体页面，该方法包括：在准备将一写入数据写入至该可复写式非易失性存储器芯片时，判断该写入数据是否属于一特定类型；若该写入数据属于该特定类型，由该错误检查与校正电路根据该写入数据产生符合一第一长度的至少一第一类错误检查与校正码；以及若该写入数据不属于该特定类型，由该错误检查与校正电路根据该写入数据产生符合一第二长度的至少一第二类错误检查与校正码，其中该第一长度大于该第二长度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟程，杨跸齐，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：