【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体良率提升领域，尤其涉及一种晶圆缺陷扫描方法以及一种晶圆缺陷扫描机台。
技术介绍
随着半导体器件工艺的发展，缺陷检测已经成为提升半导体良率一项不可或缺的手段，目前业界普遍使用邻近单元像素比较的方法来捕获缺陷。但是有一些缺陷在整片晶圆上都会出现，称之为整片晶圆异常缺陷。现今缺陷扫描方式是通过对比邻近单元像素(上下或者左右)。如果存在差异，则定义差异处为缺陷，如图I所示第二单元像素102与邻近的第一单元像素101以及第三单 元像素103对比以后即可知第二单元像素102存在缺陷。但是，此扫描方法对于整片晶圆都存在异常的情况下，也就是用第五像素105与第四像素104以及第六像素106进行比较，这时由于邻近第五像素105的单元像素都存在异常，对比后没有差异，这就无法定义出缺陷。例如晶圆过量化学机械研磨、固定点线宽异常等等，用这一方法都难以捕获缺陷。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供了一种晶圆缺陷扫描方法，包括如下步骤 统计得出流水线上某一站点的各个晶圆上的各个位置出现频率最高的单元像素，将所述出现频率最高的单元像素赋予到虚拟晶圆上的对应...
【技术保护点】
一种晶圆缺陷扫描方法，其特征在于，包括如下步骤：统计得出流水线上一站点的各个晶圆上的各个位置出现频率最高的单元像素，将所述出现频率最高的单元像素赋予到虚拟晶圆上的对应位置，得到虚拟完美晶圆并保存所述虚拟完美晶圆；将保存的虚拟完美晶圆与所述的流水线上所述站点的晶圆做对比，检测晶圆层面的缺陷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭贤权，许向辉，顾珍，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。