【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种离子源绝缘装置,特别适合于半导体工艺设备中的离子注入机。
技术介绍
离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备,离子源产生需要掺杂的离子束,离子束再经过质量分析、校正、加速,传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。随着半导体器件集成度越来越高,半导体工艺设备越来越复杂,对离子源的的束流要求也越来越高。对于注入工艺,低能量大速流的离子注入机是发展的方向。适用于该类离子注入机的离子源需要产生宽带束或扁状带束。本专利技术正是基于应用该类离子源而设计。
技术实现思路
针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求,本专利技术设计一种用于离子注入机离子源的绝缘装置。该装置涉及到一种引出绝缘环,用于离子源与地电位的隔离。引出绝缘环从设计角度保护离子源高电位,实现电隔离。该装置亦涉及到引出绝缘环两端的法兰联接方式,该联接方式是采用一种绝缘材料制造的联接杆,并将联接杆阵列分布在引出绝缘环周围。该装置亦设计到一种屏蔽筒设计,其可以防止金属颗粒进入并附着在引出绝缘环内表面。本专利技术有以下几个显著特点I.绝缘效果明显;2.结构简单,便于加工制造;附图说明图I是一种用于离 ...
【技术保护点】
一种用于离子注入机的离子源绝缘装置,和离子注入机用离子源一起使用。该离子源可以产生宽带束或扁状带束。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括:离子源(1)、法兰联接杆(2)、源安装法兰(3)、引出绝缘环(4)、源法兰(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡宝富,唐景庭,伍三忠,
申请(专利权)人:北京中科信电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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