本发明专利技术公开了一种用于离子注入机的离子源绝缘装置。一种离子注入机用离子源，可以产生宽带束或扁状带束，为使其正常工作发明专利技术一种绝缘装置，以隔离高压电位和地电位。主要包括：离子源1、法兰联接杆2、源安装法兰3、引出绝缘环4、源法兰5、屏蔽筒6和真空室7等。该装置特征在于，采用特别的引出绝缘环4安装于源安装法兰3和源法兰5之间，且源安装法兰3和源法兰5间采用法兰联接杆2联接，可以很好的保护高压电位和地电位。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种离子源绝缘装置，特别适合于半导体工艺设备中的离子注入机。
技术介绍
离子注入机是半导体工艺中离子掺杂的典型设备，离子源产生需要掺杂的离子束，离子束再经过质量分析、校正、加速，传输到处于靶室终端工艺腔体的硅片表面。随着半导体器件集成度越来越高，半导体工艺设备越来越复杂，对离子源的的束流要求也越来越高。对于注入工艺，低能量大速流的离子注入机是发展的方向。适用于该类离子注入机的离子源需要产生宽带束或扁状带束。本专利技术正是基于应用该类离子源而设计。
技术实现思路
针对现有半导体工艺中离子注入机设备发展的要求，本专利技术设计一种用于离子注入机离子源的绝缘装置。该装置涉及到一种引出绝缘环，用于离子源与地电位的隔离。引出绝缘环从设计角度保护离子源高电位，实现电隔离。该装置亦涉及到引出绝缘环两端的法兰联接方式，该联接方式是采用一种绝缘材料制造的联接杆，并将联接杆阵列分布在引出绝缘环周围。该装置亦设计到一种屏蔽筒设计，其可以防止金属颗粒进入并附着在引出绝缘环内表面。本专利技术有以下几个显著特点I.绝缘效果明显；2.结构简单，便于加工制造；附图说明图I是一种用于离子源绝缘装置组件的正视图和剖视图。图2是引出绝缘环的正视图和剖视图。具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步介绍，但不作为对本专利技术专利的限定。本专利技术公开了一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，如图I所示，和离子注入机用离子源一起使用。该离子源可以产生宽带束或扁状带束。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括离子源(I)、法兰联接杆(2)、源安装法兰(3)、引出绝缘环(4)、源法兰(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。如图I所示，引出绝缘环(4)安装于源安装法兰(3)和源法兰(5)之间，可以很好的保护高压电位和地电位。如图2中所示，引出绝缘环(4)采用绝缘材料加工，内表面形成规则起伏的形状，用于增加表面面积，避免积尘，产生爬电。源安装法兰(3)和源法兰(5)间利用法兰联接杆(2)联接，法兰联接杆(2)采用抗拉强度较强的绝缘材料，并均匀分布在引出绝缘环(4)的周围。源安装法兰(5)用于安装离子源(I)，其近引出绝缘环端面呈圆弧状，以避免其在绝缘环内产生放电现象。源法兰(5)用于引出绝缘环(4)联接真空室(7)。屏蔽筒(6)安装与引出绝缘环(4)的内侧，固定于源法兰之上；其呈椭圆形状，并在非安装端加工成圆弧状，以避免其在绝缘环内产生放电现象。本专利技术的特定实施例已对本专利技术的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言，在不背离本专利技术精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动，都构成对本专利技术专利的侵犯，将承担相应的法律责任。·权利要求1.一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，和离子注入机用离子源一起使用。该离子源可以产生宽带束或扁状带束。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括离子源(I)、法兰联接杆(2)、源安装法兰(3)、引出绝缘环(4)、源法兰(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。2.如权力要求I所述的一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，该装置特征在于，采用特别的引出绝缘环(4)安装于源安装法兰(3)和源法兰(5)之间，可以很好的保护高压电位和地电位。3.如权力要求I所述的一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，该装置特征在于，源安装法兰(3)和源法兰(5)间利用法兰联接杆(2)联接。4.如权力要求2所述的一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，其特征在于引出绝缘环(4)采用绝缘材料加工，内表面形成规则起伏的形状，用于增加表面面积。5.如权力要求3所述的一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，其特征在于法兰联接杆(2)采用绝缘材料制造。全文摘要本专利技术公开了一种用于离子注入机的离子源绝缘装置。一种离子注入机用离子源，可以产生宽带束或扁状带束，为使其正常工作专利技术一种绝缘装置，以隔离高压电位和地电位。主要包括离子源1、法兰联接杆2、源安装法兰3、引出绝缘环4、源法兰5、屏蔽筒6和真空室7等。该装置特征在于，采用特别的引出绝缘环4安装于源安装法兰3和源法兰5之间，且源安装法兰3和源法兰5间采用法兰联接杆2联接，可以很好的保护高压电位和地电位。说明书对装置工作原理进行了详细的说明，并给出了具体的实施方案。文档编号H01J37/08GK102867719SQ20111018646公开日2013年1月9日 申请日期2011年7月5日 优先权日2011年7月5日专利技术者胡宝富, 唐景庭, 伍三忠 申请人:北京中科信电子装备有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于离子注入机的离子源绝缘装置，和离子注入机用离子源一起使用。该离子源可以产生宽带束或扁状带束。该装置为使其正常工作隔离高压电位和地电位。该装置主要包括：离子源(1)、法兰联接杆(2)、源安装法兰(3)、引出绝缘环(4)、源法兰(5)、屏蔽筒(6)和真空室(7)等。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：胡宝富，唐景庭，伍三忠，
申请(专利权)人：北京中科信电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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