分子离子的产生制造技术

揭示一种产生分子离子的设备以及产生分子离子的方法。在离子源(208)中，离子化至少第一物种(211)。所述第一物种离子和/或第一物种组合形成分子离子(213)。可将这些分子离子传送到第二腔室(201)并进行提取，所述第二腔室可为电弧腔室或扩散腔室。所述分子离子的原子质量可大于所述第一物种或第一物种离子。也可离子化第二物种，与所述第一物种形成分子离子。在一个实例中，所述第一和第二物种都为分子。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及离子的形成，且特别涉及分子离子的形成。
技术介绍
离子植入(ion implantation)是ー种用于将改变导电性的杂质引入エ件中的标准技术。在离子源中离子化所要的杂质材料，使离子加速以形成指定能量的离子束，且将离子束引导到エ件的表面上。离子束中的高能离子穿透到エ件材料的主体中，并嵌入エ件材料的晶格(crystalline lattice)中，从而形成具有所要导电性的区。与原子离子束相比较，分子离子束可在较高能量和较低束电流下较为容易地传送。分子离子中的原子(包含掺杂剂物种)根据其相应的原子质量而共享分子离子的整体动能(kinetic energy)。此外,通过植入较少离子来获得相同剂量,可使离子束中的任何空 间电荷效应(space charge effect)最小化,并因此可使射束“瀑发(blow up) ”最小化。然而，在离子化或植入过程期间可能难以形成和維持分子离子。使用例如间接加热式阴极(indirectly heated cathode, IHC)或伯纳源(Bernas source)等离子源倾向于将分子分解成原子离子。举例来说，如三氟化硼(BF3)、磷化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢多维克·葛特，史费特那·瑞都凡诺，克里斯多夫·R·汉特曼，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：
国别省市：