一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法技术

“一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明专利技术提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50℃～95℃水浴温度中反应1.0h～3.0h；反应结束后经冲洗、烘干后，即得所需产物。该方法采用相对于阳极氧化法、热氧化法、溅射法和化学气相沉积法等方法更加简易的化学浴沉积方法，大大简化了制备工艺，而且所得产物均匀致密。

【技术实现步骤摘要】

ー种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法属于半导体领域。
技术介绍
氧化亚铜(Cu2O)是最早被发现的半导体材料之一，其价格低廉、材料来源广泛而得到越来越多人的认可。Cu2O是能被可见光激发的P型半导体，其禁带宽度约为I. 9 2.2eV。多晶态的Cu2O稳定性好，可以反复的利用而不容易被氧化成Cu(II)和还原成Cu ；其次，Cu2O无毒性，与环境的相容性好，而且容易获得。因此其是一种应用潜カ很大的半导体材料，在超导体、制氢、太阳能电池和电致变色等方面有潜在的应用。尤其是在太阳能电 池上，其理论转化效率可达到18%。在风能、海洋能、太阳能、地热能、氢能等新能源中，太阳能占据90%之多的份额，构成新能源产业量的绝对力量，但是至今为止其光电转换效率较低。据估计，只要达到5%的光电转换效率，Cu2O在太阳能电池上的应用就会有较高的经济效益。目前制备Cu2O薄膜的方法主要有阳极氧化法、热氧化法、溅射法和化学气相沉积法等，但是这些方法成本较高，对设备及其条件的要求较高，而化学浴沉积法エ艺简単，成本低，适用于各种异形、非导电或不耐高温衬底的沉积；且在多层膜沉积过程中，不会对衬底上已经沉积的薄膜造成损本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学浴沉积纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，包括以下步骤：a)在硫酸铜溶液中依次加入抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液，充分络合并定容；b)向定容后的溶液中滴加NaOH溶液调节溶液的pH值并放入衬底；c)将调整好pH值的溶液在特定温度下恒温反应一定时间后，取出冲洗干净后烘干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐海燕，董金矿，陈琛，
申请(专利权)人：安徽建筑工业学院，
类型：发明
国别省市：