本发明专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)封装用有机硅凝胶材料，包括按重量份数计75～98%的含乙烯基的聚硅氧烷基础油，0.5～20%份的含氢硅油扩链剂，0.1～5%份具有下垂链硅氢和端位硅氢的含氢硅油交联剂，0.05～0.5%份铂金属催化剂，0.05～0.5%份炔醇类或者多乙烯基类抑制剂，本发明专利技术涉及的IGBT封装用有机硅凝胶具有非常柔软、粘附力强、防湿性和耐冲击性、吸收性非常好的特点，并且与IGBT模块的粘结性、兼容性等都很好，能满足IGBT模块灌封的质量要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机硅凝胶材料，具体是ー种绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料。
技术介绍
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transisitor (绝缘栅双极型晶体管)的缩写，简单说就是实现逆变功能，把直流电变成可控的交流电。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟通，给NPN晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除通道，切断基极电流，使IGBT关断。在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位，主要用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。加成型有机硅凝胶具有非常柔软、粘附カ强、防湿性和耐冲击性非常好的特点，是 IGBT内灌封的首选材料，能够起到很好的保护、绝缘作用。但是现在市场上硅凝胶的绝缘性能、与IGBT模块的粘结性、兼容性等都相对较差，不能满足IGBT模块的质量要求，因此，研制ー种高绝缘性能、与IGBT模块兼容性良好的IGBT用硅凝胶是本领域技术人员一直致カ于研究的方向之一。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是针对上述问题而提供ー种IGBT模块封装用有机硅凝胶，该硅凝胶能彻底满足IGBT模块在各种环境和气候条件下的安全运行和防护问题，绝缘性能高、与IGBT模块兼容性良好 本专利技术为达目的所用的技术方案是 一种绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，该有机硅凝胶包括以下原料成分及其重量百分比含量 基硅油75 98% 扩链剂0. 5 20% 交联剂0. I 5% 催化剂0. 05 O. 5% 抑制剂0. 05 O. 5% 基础油选自含こ烯基的聚硅氧烷，包括端基含こ烯基的聚甲基こ烯基硅氧烷、侧链含こ稀基的聚甲基こ稀基娃氧烧、端基和侧链均含こ稀基的聚甲基こ稀基娃氧烧、端基含乙烯基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷、侧链含こ烯基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷、端基和侧链均含こ烯基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷的一种或几种的组合物，含こ烯基聚硅氧烷分子量为20000 40000，粘度在25°C为500 1500mpa. s’こ烯基含量为O. 25% I. 25%之间含こ烯基聚硅氧烷。扩链剂为ニ甲基氢基封端的聚ニ甲基硅氧烷，其粘度为在25°C为15 65mpa. s’含氢量在O. 04% O. 12%之间的端含氢娃油。交联剂为具有下垂链硅氢和端位硅氢的聚甲基氢基硅氧烷，优选粘度在25。。为15 IOOmpa. s,含氢量在O. 4% I. 6%之间的具有下垂链和端位娃氢的含氢娃油。催化剂为钼金属催化剂，催化剂为钼金属催化剂，包括氯钼酸，氯钼酸和ニこ烯基四甲基ニ硅氧烷的络合物。抑制剂为炔醇类或者多こ烯基类抑制剂，炔醇类抑制剂为I-こ炔基-1-环己醇，多こ烯基类抑制剂为1，3- ニこ烯基四甲基ニ硅氧烷。与现有技术相比，本专利技术涉及的有机硅凝胶材料，是用于IGBT灌封的材料，具有与IGBT模块良好的粘结性、兼容性以及优良的绝缘性能，能够很好的起到对IGBT模块的缓冲保护、防潮、绝缘的作用。具体实施例方式 下面结合具体实施例对本专利技术进行详细描述，本部分的描述仅是示范性和解释性，不应对本专利技术的保护范围有任何的限制作用。实施例I : 实施例I配方表mmmmm膨Imm mmmmm職藝 fson^ts 齋禱墓_亭^ 謹 Jilfc StaKtsr i觀鼴會量§1% Mmtmmm esnfcs3燃mmat* mm 氬 wニ·纏 Μw%ιι ι μ % 将制备的组合物通过在120°C加热60分钟固化，由此形成透明的凝胶制品。对于该凝胶制品，采用GB T269规定的锥入度计(1/4比例的锥)测量锥入度，采用GB/T 1695-2005測量电气强度。采用该凝胶对IGBT模块进行灌封，对灌封好的模块进行环境因素的评估，考察硅凝胶与模块的兼容性，以及模块通过环境因素改变后的电气性能。测试结果见表I。实施例2: 实施例2配方表权利要求1.一种绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在于，该有机硅凝胶包括以下原料成分及其重量百分比含量 基硅油75 98% 扩链剂0. 5 20% 交联剂0. I 5% 催化剂0. 05 O. 5% 抑制剂0. 05 O. 5%。2.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在于所述基础油选自含こ烯基的聚硅氧烷，包括端基含こ烯基的聚甲基こ烯基硅氧烷、侧链含こ稀基的聚甲基こ稀基娃氧烧、端基和侧链均含こ稀基的聚甲基こ稀基娃氧烧、端基含乙稀基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷、侧链含こ烯基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷、端基和侧链均含こ烯基的聚甲基苯基こ烯基硅氧烷的一种或几种的组合物。3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在于所述含こ烯基聚硅氧烷分子量为20000 40000，粘度在25°C为500 1500mpa. s,こ烯基含量为O. 25% I. 25%之间的含こ烯基聚硅氧烷。4.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在干，所述扩链剂为ニ甲基氢基封端的聚ニ甲基硅氧烷。5.根据权利要求4所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在干，所述ニ甲基氢基封端的聚ニ甲基硅氧烷为粘度在25°C为15 65mpa. s,含氢量在O. 04% O.12%之间的端含氢硅油。6.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在干，所述交联剂为具有下垂链硅氢和端位硅氢的聚甲基氢基硅氧烷。7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在于所述的具有下垂链硅氢和端位硅氢的聚甲基氢基硅氧烷为粘度在25で为15 IOOmpa. S，含氢量在O. 4% I. 6%之间的含氢娃油。8.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在干，所述催化剂为钼金属催化剂，包括氯钼酸，氯钼酸和ニこ烯基四甲基ニ硅氧烷的络合物。9.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶材料，其特征在于，所述抑制剂为炔醇类或者多こ烯基类抑制剂。10.根据权利要求I所述的绝缘栅双极型晶体管用有机硅凝胶材料，其特征在于，所述炔醇类抑制剂为I-こ炔基-1-环己醇，多こ烯基类抑制剂为1，3-ニこ烯基四甲基ニ硅氧烧。全文摘要本专利技术公开了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)封装用有机硅凝胶材料，包括按重量份数计75～98%的含乙烯基的聚硅氧烷基础油，0.5～20%份的含氢硅油扩链剂，0.1～5%份具有下垂链硅氢和端位硅氢的含氢硅油交联剂，0.05～0.5%份铂金属催化剂，0.05～0.5%份炔醇类或者多乙烯基类抑制剂，本专利技术涉及的IGBT封装用有机硅凝胶具有非常柔软、粘附力强、防湿性和耐冲击性、吸收性非常好的特点，并且与IGBT模块的粘结性、兼容性等都很好，能满足IGBT模块灌封的质量要求。文档编号C08L83/05GK102863800SQ20121040354公开日2013年1月9日 申请日期2012年10月22日 优先权日2012年10月22日专利技术者赵慧宇, 唐毅平, 姜其斌, 丁娉 申请人:株洲时代新材料科技股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种绝缘栅双极型晶体管封装用有机硅凝胶材料，其特征在于，该有机硅凝胶包括以下原料成分及其重量百分比含量：基硅油：75～98%扩链剂：0.5～20%交联剂：0.1～5%催化剂：0.05～0.5%抑制剂：0.05～0.5%？。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵慧宇，唐毅平，姜其斌，丁娉，
申请(专利权)人：株洲时代新材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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