本发明专利技术涉及有机硅材料，尤其是用于LED封装的高折射率有机硅材料及其制备方法。本发明专利技术的技术方案是将配方量的苯基乙烯基硅树脂、苯基氢硅树脂、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅（粒径分布5-15nm）共三种材料放入2L密炼机，密炼1小时，然后在氮气气氛中加入铂金含量为200-1000ppm的铂金催化剂，再密炼10分钟，最后加入炔醇化合物，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。本发明专利技术制得的用于LED封装的高折射率有机硅材料，在与现有的用于LED封装的高折射率有机硅材料的折射率及透光率相同的情况下，其拉伸强度更高、粘接力更强。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机硅材料，尤其是用于LED封装的高折射率有机硅材料。
技术介绍
目前，用于LED封装的有机硅材料大部分是具有普通折射率的材料，其折射率为(I. 41-1. 43)，但采用这种普通折射率的有机硅材料封装的LED光通量较低，防水效果不佳。为了追求更高的光通量，LED封装行业逐渐采用苯基改性的有机硅材料来用作LED的封装，这种苯基改性的有机硅材料具有(I. 51-1. 56)的高折射率，采用此类封装材料，封装的LED透光率普遍提高5-10%，防水性也比普通折射率优异，但现有技术中采用苯基改性的有机硅材料存在的缺点是与基材粘接力差，机械强度差，高温时容易脆裂等，极大程度地限制了它的使用，因而LED封装行业急需研制一种粘接力强、机械性能强的高折射率有机 硅材料。
技术实现思路
为了适应本行业的需求，本专利技术的目的在于提供一种用于LED封装的粘接力强、机械性能强的高折射率有机硅材料及其制备方法。本专利技术的技术方案是一种用于LED封装的粘接力强、机械性能强的高折射率有机硅材料，包含 (A) 100-120重量份的具有以下通式的乙烯基苯基硅树脂 (Me2ViSiOtl 5)m (PhSiO15) n (Ph2SiO) x (MeViSiO) y (MePhSiO) p (Me3SiO0 5) q其中，m为1-20的整数；n为5_50的整数；x为0_50的整数；y为0_50的整数；p为0-50的整数；q为0-20的整数· (B)30-80重量份的具有以下通式的含氢苯基硅树脂 (Me2HSiOtl 5) a(PhSi015)b (Ph2SiO) c (MeHSiO) d (MePhSiO) e (Me3SiO0 5)f其中，a为1-20的整数；b为5-50的整数；c为0_50的整数；d为0_50的整数；e为0-50的整数；f为0-20的整数· (C)5-25重量份的经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅； 其中，纳米~■氧化娃的粒径范围为5_15nm ;娃烧偶联剂是指含环氧基的烧氧基娃烧、甲基丙烯酰氧基的烷氧基硅烷中的一种或几种混合物；处理方法为取IOOg纳米二氧化硅置于IL三口瓶中，以每分100转的速度搅拌物料，同时以每秒O. 1-0. 5g的速度滴加硅烷偶联剂，滴完后维持1-2个小时即可。(D) O. 01-0. 05重量份的钼金催化剂； 钼金催化剂是指卡斯特催化剂，钼金含量为200-1000ppm. (E)O. 01-0. I重量份的延迟剂，延迟剂为炔醇化合物，具体为甲基戊炔醇或乙炔基环己醇。利用以上重量份的原料制备一种用于LED封装的粘接力强、机械性能强的高折射率有机娃材料，其制备方法是 按配方量取乙烯基苯基硅树脂，含氢苯基硅树脂、经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅(粒径分布5-15nm)共三种材料放入2L密炼机，密炼I小时，然后在氮气气氛中加入钼金催化剂，再密炼10分钟，最后加入延迟剂炔醇化合物，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。取出IOOg混合料抽真空并分别置于制片模具中、粘接力测试模具中，固化完全后测试机械强度、粘接力。优点及积极效果 本专利技术采用含有(Me2ViSiOa5)结构单元的乙烯基苯基硅树脂、含有(Me2HSiOa5)结构单元的苯基氢硅树脂为主要原料，在实现硅氢化反应中，既实现交联反应又部分实现扩链反应，保证了材料的机械强度，且中间无副产物产生，非常适合高档元器件特别是LED的封装；添加经硅烷偶联剂处理的纳米级二氧化硅，与含有(Me2ViSiOa5)结构单元的苯基乙烯 基硅树脂、含有(Me2HSiOa5)结构单元的苯基氢硅树脂搭配使用，有利于材料的机械强度 的进一步补强，又有利于对基材的粘接，增强了封装材料的气密性，提升了防硫化性能，延长了电子器件的寿命。具体实施例方式下面结合实施例对本专利技术作进一步详细的描述，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例I 取IOOOg通式为(Me2ViSiO0.5) ! (PhSiO1.5) 5的乙烯基苯基硅树脂，500g通式为(Me2HSiOa5)1 (PhSiO1J5的含氢苯基硅树脂、50g经Y _缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷处理的纳米二氧化硅(粒径分布5-10nm)共三种材料放入2L密炼机，密炼I小时，然后在氮气气氛中加入O. Ig钼金含量为500ppm的钼金催化剂，再密炼10分钟，最后加入O. Ig甲基戊炔醇，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。取出IOOg混合料抽真空并分别置于制片模具中、粘接力测试模具中，固化完全后测试机械拉伸强度、粘接力。实施例2 取 IOOOg 通式为(Me2ViSiO0.5) ^PhSiO1J5ci(Ph2SiO)5ci(Me3SiOa5)2ci 的乙烯基苯基硅树月旨，600g 通式为(Me2HSiO0.5) 10 (PhSiO1.5) 50 (Me3SiOa5) 1(| 的含氢苯基硅树脂、50g 经 Y-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷处理的纳米二氧化硅(粒径分布5-10nm)共三种材料放入2L密炼机，密炼I小时，然后在氮气气氛中加入O. Ig钼金含量为500ppm的钼金催化剂，再密炼10分钟，最后加入O. Ig甲基戊炔醇，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。取出IOOg混合料抽真空并分别置于制片模具中、粘接力测试模具中，固化完全后测试机械拉伸强度、粘接力。实施例3取 IOOOg 通式为(Me2ViSiO0 5) 20 (PhSiO1.5) 50 (Ph2SiO) 50 (MeViSiO) 50 (MePhSi0) 50 (Me3SiOa5)2tl 的乙烯基苯基硅树脂，400g 通式为(Me2HSiOa5)2tl(PhSiOh5)5ci(Ph2SiO) 50 (MeHSiO) 50 (MePhSiO) 50 (Me3SiO0.5) 20 的含氢苯基硅树脂、50g 经 Y -甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理的纳米二氧化硅(粒径分布10-15nm)共三种材料放入2L密炼机，密炼I小时，然后在氮气气氛中加入O. Ig钼金含量为500ppm的钼金催化剂，再密炼10分钟，最后加入O. Ig甲基戊炔醇，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。取出IOOg混合料抽真空并分别置于制片模具中、粘接力测试模具中，固化完全后测试机械拉伸强度、粘接力。实施例4 取IOOOg通式为(Me2ViSiOa5) 20 (PhSiO1.5) 5的乙烯基苯基硅树脂，700g通式为(Me2HSiO0.5) 20 (PhSiO1.5) 50 (Ph2SiO) 50 (MeHSiO) 50 (MePhSiO) 50 (Me3SiO0.5) 20 的含氢苯基硅树脂、50g经Y -甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷处理的纳米二氧化硅(粒径分布10-15nm)共三种材料放入2L密炼机，密炼I小时，然后在氮气气氛中加入 O. Ig钼金含量为500ppm的钼金催化剂，再密炼10分钟，最后加入O. Ig乙炔基环己醇，继续密炼10分钟，即制得高折射率有机硅材料。取出IOOg混合料抽真空并分别置于制片模具中、粘接力测试模具中，固化完全后测试机械拉伸强度、粘接力。比较例I取 IOOOg 通式为(PhSiO1.5)50(Ph2SiO)50(MeVi本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于LED封装的高折射率有机硅材料，其特征在于：有以下重量份的原料组成：(A)？100？120重量份的具有以下通式的乙烯基苯基硅树脂：(Me2ViSiO0.5)？m？(PhSiO1.5)n？(Ph2SiO)x(MeViSiO)y(MePhSiO)？p？(Me3SiO0.5)q其中，m为1？20的整数；n为5？50的整数；x为0？50的整数；y为0？50的整数；p为0？50的整数；q为0？20的整数.？？？（B）30？80重量份的具有以下通式的含氢苯基硅树脂：？(Me2HSiO0.5)？a(PhSiO1.5)b？(Ph2SiO)c(MeHSiO)d(MePhSiO)？e？(Me3SiO0.5)f？其中，a为1？20的整数；b为5？50的整数；c为0？50的整数；d为0？50的整数；e为0？50的整数；f为0？20的整数.？？（C）5？25重量份的经硅烷偶联剂处理的纳米二氧化硅；其中，纳米二氧化硅的粒径范围为5？15nm；其中，硅烷偶联剂是指含环氧基的烷氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基的烷氧基硅烷中的一种或几种混合物；处理方法为：取100g纳米二氧化硅置于1L三口瓶中，以每分100转的速度搅拌物料，同时以每秒0.1？0.5g的速度滴加硅烷偶联剂，滴完后维持1？2个小时即可；（D）0.01？0.05重量份的铂金催化剂；？？？？？铂金催化剂是指卡斯特催化剂，铂金含量为200？1000ppm；？？（E）0.01？0.1重量份的延迟剂，延迟剂为炔醇化合物。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：汤胜山，侯海鹏，邹小武，
申请(专利权)人：东莞市贝特利新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。