一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管技术

本发明专利技术提供了一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。本发明专利技术向酞菁核的2、3、16和17位上各引入一个相同的取代基，并保留酞菁核中的两个苯环不被取代，在提高溶解性的同时尽可能地不破坏酞菁核的紧密π-π堆积排列方式，实现较高的场效应迁移率；此外，中心金属原子能调节取代酞菁的电子结构，同时其能和取代基产生协同效应，调控取代酞菁薄膜的堆积方式，故采用所述可溶性酞菁化合物能获得具有较高迁移率的有机薄膜晶体管。本发明专利技术提供了一种可溶性酞菁化合物的制备方法和一种有机薄膜晶体管，其载流子迁移率可达1cm2/V·s。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机半导体材料
，特别涉及一种可溶性酞菁化合物、其制备方法及一种有机薄膜晶体管。
技术介绍
近年来，随着有机薄膜晶体管在集成电路和传感器等方面应用的发展，对高迁移率有机共轭半导体材料的研究和开发非常活跃。酞菁化合物具有独特的η共轭结构，使其具有独特的物理性质和优异的环境稳定性等特点，尤其是通过调控电子结构和固态下分子堆积模式，能使其形成具有强相互作用的堆积结构，因此，酞菁化合物被作为高迁移率有机共轭半导体材料而广泛应用。美国专利文献US5969376公开了一种平面的金属酞菁，所述金属酞菁为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)或酞菁锡(SnPc)，作为半导体层的空穴传输型有机薄膜晶体管，其空穴迁移率为10_3cm2/V · s ;申请号为200710055258. I的中国专利文献公开了采用轴向取代酞菁化合物作为半导体层的有机薄膜晶体管，其载流子迁移率为10_3cm2/V · s ;美国专利文献US2010140593也公开了采用轴向取代酞菁的有机薄膜晶体管，其中的酞菁铟氯(ClInPc)具有较高的空穴迁移率，能达到O. 52cm2/V · s ;先进材料(A本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可溶性酞菁化合物，具有式（I）结构或式（II）结构：其中，R为烷基、烷氧基或烷硫基；M为二价金属或含配体的三价以上金属。FDA00002161927400011.jpg

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：耿延候，田洪坤，董少强，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
国别省市：