一种晶体硅太阳电池和光伏组件制造技术

一种晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池的上表面布设有四条或四条以上的主栅线。由于本实用新型专利技术将晶体硅太阳电池的主栅线设计为四条或四条以上，从而缩短副栅线到达主栅线的长度，在不增加电池被遮挡的面积的前提下，可在电池效率不变和不增加任何成本的情况下，降低组件的串联电阻，提高组件的填充因子(FF)，提高组件的输出功率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种晶体硅太阳电池和光伏组件，属于光伏

技术介绍
随着当今世界人口和经济的增长、能源资源的日益匮乏、环境的日益恶化以及人们对电能需求量的日益增长，太阳能的开发和利用已经在全球范围内掀起了热潮。这非常有利于生态环境的可持续发展、造福子孙后代，因此世界各国竞相投资研究开发太阳电池。太阳电池是ー种利用光生伏特效应将太阳光能直接转化为电能的器件。太阳电池种类繁多，其中重要的一类为晶体硅太阳能电池。众所周知，要收集晶体硅太阳电池产生的电流，需要在晶体硅太阳电池上表面(太阳光的入射面)制作金属上电极，该金属上电极一般包括副栅线和主栅线。副栅线用来收集晶体硅太阳电池产生的电流并将其传输给主栅线，主栅线再通过焊接或粘接在其上的 浸锡铜带(又可称为焊带、互连条)将多个晶体硅太阳电池串联后，再将电流通过相互电连接的汇流条和外部导线输出。晶体硅太阳电池的金属上电极图形的设计应使电池的输出功率最大，这就需要重点兼顾两个方面1、金属上电极的串联电阻尽可能的小；2、使电池没有被电极遮挡的光照面积尽可能的大。同时还要兼顾组件加工エ艺的复杂程度，尤其是当単体晶体硅太阳电池的尺寸增加时，该方面的考虑就变得愈加重要。对于晶体硅太阳电池组件而言，互连条的截面积要比电池主栅线的截面积大10倍以上。因此，电池所产生电流的主要通路，在组件中为连接电池的互连条，而不是电池主栅线。电池片的主栅线主要起收集电池副栅线的电流并将此电流传输到互连条的作用，还要保证电池与互连条的可焊性和一定的焊接牢固度，互连条的电阻远远低于电池主栅线电阻，数值超过ー个数量级。既然互连条为组件中主要的电流通路，每一片电池上互连条的截面积对组件串联电阻的影响就显得非常重要了。金属电极串联电阻的另ー个主要来源是副栅线，我们希望在副栅线宽度不增加(以减少金属电极对电池受光面的遮挡)的基础上，副栅线的高度较高，而到达主栅线的长度減少，从而降低金属电极的串联电阻。
技术实现思路
本技术提供一种晶体硅太阳电池和光伏组件。为达到上述目的，本技术采用的第一种技术方案是ー种晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池的上表面布设有四条或四条以上的主栅线。在一较佳实施例中，所述主栅线的宽度为I. O I. 5毫米。在一较佳实施例中，所述主栅线之间的间距为35 42毫米。为达到上述目的，本技术采用的第二种技术方案是所述光伏组件层压有上述技术方案中的晶体硅太阳电池。由于上述技术方案运用，本技术与现有技术相比具有下列优点由于本技术将晶体硅太阳电池的主栅线设计为四条或四条以上，并将主栅线宽度减小到I. O I. 5mm，从而缩短副栅线到达主栅线的长度，在不增加电池被遮挡的面积的前提下，可在电池效率不变和不增加任何成本的情况下，降低组件的串联电阻，提高组件的填充因子(FF)，提高组件的输出功率，保守估计大约每个组件提升2-5W，以提升3W计，每年生产一千万个组件约2GW，可増加功率30丽，以每瓦I美元计，一年可多收入3000万美J Li ο 附图说明附图I为本技术示意图。以上附图中1、主栅线；2、副栅线；3、晶体硅太阳电池。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进ー步描述实施例一一种晶体娃太阳电池和光伏组件參见附图I所示，ー种晶体硅太阳电池3，所述晶体硅太阳电池3的上表面(太阳光的入射面)布设有四条主栅线I。所述主栅线I的宽度为I. O毫米。所述主栅线I之间的间距为39毫米。ー种光伏组件(图中未示出)，所述光伏组件层压有所述晶体硅太阳电池3。层压是指在光伏组件制作时将玻璃、第一层胶膜、晶体硅太阳电池3串、第二层胶膜和背板层层叠后再在层压机上进行层压操作最终获得光伏组件。实施例ニ 一种晶体硅太阳电池和光伏组件參见附图I所示，将晶体硅太阳电池3的主栅线I设计为四条，并把晶体硅太阳电池的主栅线宽度減少到I. ο-l. 5mm，在不增加电池被遮挡的面积的基础上，适当減少互连条的宽度，加厚互联条铜基的厚度，減少副栅线2到达主栅线I的长度，降低组件的串联电阻，提高组件的填充因子(FF)，达到使组件输出功率得到进ー步提高的目的。本技术可以采取自动或半自动焊接(或粘接)机器来完成焊接电池和互连条的工作，则焊接四条互连条与焊接三条没有什么区别，所以电池用机器焊接四条互连条是可行的。本技术的晶体硅太阳电池可以是单晶硅太阳电池也可以是多晶硅太阳电池或准单晶硅太阳电池。上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。凡根据本技术精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本技术的保护范围之内。权利要求1.ー种晶体硅太阳电池，其特征在于所述晶体硅太阳电池的上表面布设有四条或四条以上的主栅线。2.根据权利要求I所述的晶体硅太阳电池，其特征在于所述主栅线的宽度为I.O I.5晕米。3.根据权利要求I所述的晶体硅太阳电池，其特征在于所述主栅线之间的间距为35 42晕米。4.ー种光伏组件，其特征在于所述光伏组件层压有权利要求I 3中任意一个所述的晶体硅太阳电池。专利摘要一种晶体硅太阳电池，所述晶体硅太阳电池的上表面布设有四条或四条以上的主栅线。由于本技术将晶体硅太阳电池的主栅线设计为四条或四条以上，从而缩短副栅线到达主栅线的长度，在不增加电池被遮挡的面积的前提下，可在电池效率不变和不增加任何成本的情况下，降低组件的串联电阻，提高组件的填充因子(FF)，提高组件的输出功率。文档编号H01L31/0224GK202651128SQ201220269660公开日2013年1月2日 申请日期2012年6月5日 优先权日2012年6月5日专利技术者温建军, 陈如龙 申请人:无锡尚德太阳能电力有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅太阳电池，其特征在于：所述晶体硅太阳电池的上表面布设有四条或四条以上的主栅线。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温建军，陈如龙，
申请(专利权)人：无锡尚德太阳能电力有限公司，
类型：实用新型
国别省市：