用于晶圆级封装的互连结构制造技术

封装件包括具有衬底的器件管芯。模塑料接触该衬底的侧壁。金属焊盘位于该衬底上方。钝化层具有覆盖该金属焊盘的边部的部分。金属柱位于金属焊盘上方，并接触该金属焊盘。介电层位于钝化层上方。由模塑料或聚合物形成的封装材料位于该介电层上方。介电层包括在钝化层和封装材料之间的底部，和在金属柱的侧壁和封装材料的侧壁之间的侧壁部。聚合物层位于封装材料、模塑料和金属柱的上方。钝化后互连件(PPI)延伸至聚合物层内。焊球位于PPI上方，并通过PPI电连接至金属焊盘。本发明专利技术还提供用于晶圆级封装的互连结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种互连结构，具体地说涉及一种用于封装的互连结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体管芯变得越来越小。然而，需要将更多的功能集成在半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多数量的I/o焊盘封装在较小的区域内，从而使I/o焊盘的密度迅速地升高。因此，半导体管芯的封装变得更困难，并对产量产生不利影响。可以将封装技术分成两类。一类通常被称为晶圆级封装(WLP)，其中晶圆上的管芯在他们被切割之前进行封装。WLP技术具有一些有利的特征，诸如较大的生产量和较低的成本。而且，需要更少的底部填充或模塑料。然而，WLP技术也具有弊端。常规的WLP只能 是扇入型封装，其中每个管芯的I/O焊盘被限定于各自管芯表面正上方的区域。管芯的面积有限，由于I/O焊盘的间距的限制，所以I/O焊盘的数量受到限制。如果要降低焊盘的间距，可能出现焊桥。此外，根据固定的球头尺寸(ball-size)要求，焊球必须具有一定的尺寸，这反过来限制能够在管芯的表面上聚集的焊球的数量。在另一类封装中，管芯在其被封装在其他晶圆上之前从晶圆中切割下来，并且仅封装“已知良好的管芯”。这类封装技术的有利特征是可能形成扇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装件，包括：器件管芯，包括衬底；模塑料，接触所述衬底的侧壁；金属焊盘，位于所述衬底上方；钝化层，包括覆盖所述金属焊盘的边部的部分；金属柱，位于所述金属焊盘上方，并被电连接至所述金属焊盘；介电层，位于所述钝化层上方；封装材料，在所述介电层上方由其他模塑料或聚合物形成，其中所述介电层包括底部和侧壁部，所述底部位于所述钝化层和所述封装材料之间，所述侧壁部位于所述金属柱的侧壁和所述封装材料的侧壁之间，并接触所述金属柱的侧壁和所述封装材料的侧壁；聚合物层，位于所述封装材料、所述模塑料和所述金属柱上方；钝化后互连件(PPI)，延伸至所述聚合物层中的开口内并被电连接至所述金属柱，其中所述PPI进一步包...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，林俊成，刘乃玮，洪瑞斌，郑心圃，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：