【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法，更特别地，本公开涉及具有贯穿孔的。
技术介绍
已开发了在包含诸如硅之类的半导体材料的衬底中形成贯穿孔的技术。例如，已知贯穿半导体通孔技术。在贯穿半导体通孔技术中，在半导体衬底中形成贯穿孔，该贯穿孔中能够被填充导电材料以形成导电材料通孔。所述贯穿半导体通孔技术能够例如借助所述导电材料通孔而将不同芯片组合在一起。 由于贯穿半导体通孔技术使得能够组合具有不同功能的芯片，并且减小集成电路芯片面积和封装尺寸，因此该技术成为集成电路エ业领域中的新趋势。
技术实现思路
常规上，在形成功能器件之前形成填充有诸如金属之类的导电材料的贯穿孔(导电材料通孔)。在向贯穿孔中填充导电材料时，会对填充的导电材料造成污染(例如被混入杂质)，在之后形成功能器件的エ艺期间，被污染的填充的导电材料无法耐受高温，从而导致形成的导电材料通孔的缺陷。为此，提出了在形成贯穿孔之后首先用填充材料填充贯穿孔以形成“伪通孔”的技术。根据这种技术，首先用填充材料填充所形成的贯穿孔，在形成了功能器件之后再去除填充材料，并且在去除了填充材料之后的贯穿孔中填充导电材料以形...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有用于在其上形成功能器件的第一表面和与该第一表面相反的第二表面；其中，所述衬底具有贯穿该衬底的第一表面和第二表面的贯穿孔，所述贯穿孔在所述第二表面的开口比该贯穿孔在所述第一表面的开口大。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李凡，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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